§ 50. Thermoelectronic নির্গমন। সূত্র রিচার্ডসন - ড |

বর্তমান ক্যারিয়ারগুলি ক্যাথোড দ্বারা নির্গত ইলেক্ট্রনগুলি যখন উচ্চ ভ্যাকুয়ামে একটি বড় ভ্যাকুয়ামে একটি বর্তমান থাকে। ধাতু থেকে ইলেকট্রনগুলির নির্গমন (নির্গমন), ইতিমধ্যে § 45 তে নির্দেশিত, বিভিন্ন কারণ বলা যেতে পারে। ভ্যাকুয়াম টিউবগুলিতে, একটি গ্লাভ স্রাবের ঘটনায় এবং যখন ক্যাথডিক রশ্মি ঘটে তখন ইলেক্ট্রনগুলি ইতিবাচক আয়নগুলির আঘাত দিয়ে ধাতু পৃষ্ঠের স্তর থেকে দোরোখা হয়। একটি গভীর ভ্যাকুয়ামের সাথে, যখন স্পারস গ্যাসের চাপ একটি বুধের স্তম্ভের মিলিমিটারের মিলিয়ন শেয়ার তৈরি করে, আয়ন, বোমা হামলার সংখ্যা, ক্যাথোড থেকে পালিয়ে যাওয়া ইলেকট্রনগুলির একটি উল্লেখযোগ্য নির্গমন বজায় রাখার জন্য যথেষ্ট পরিমাণে হয়ে যায়, এবং এটি বাস্তব ক্যাথোড রশ্মি গঠন করা হয় না। কিন্তু এই ধরনের গভীর ভ্যাকুয়ামের সাথে, কার্ট্রনের নির্গমনগুলি যদি ক্যাথোডটি পরিচালনা করা হয় (থার্মোলেট্রনিক নির্গমন) বা আলোর (ফোটোইলেট্রন নির্গমন) এর বরং বক্ররেখা (ছবির electron নির্গমন) নির্দেশিত হয়। ইলেক্ট্রনের নির্গমনের ফলে ইলেকট্রন (মাধ্যমিক ইলেকট্রনিক নির্গমনের একটি প্রবাহের সাথে কিছু দেহের বোমা বিস্ফোরণের কারণেও হতে পারে।

উপরন্তু, ইলেক্ট্রনের নির্গমন, ইতিমধ্যে §45 এ নির্দেশিত হয়েছিল, একটি তীব্র বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র (স্বয়ংক্রিয় ইলেক্ট্রন, বা ঠান্ডা, নির্গমন) দ্বারা সৃষ্ট হতে পারে। মেটাল থেকে ইলেকট্রনগুলিকে আলাদা করার জন্য সক্ষম ক্ষেত্রের শক্তি 1 সেন্টিমিটার প্রতি মিলিয়ন ভোল্টের একটি আদেশের একটি আদেশ রয়েছে। তবে, কিছু অটো ইলেকট্রনিক নির্গমন অপেক্ষাকৃত ছোট ক্ষেত্রের শক্তিতে (সাঁতার প্রভাব, বা টানেল প্রভাবের নির্গমন, § 45) তে কিছু অটো ইলেকট্রনিক নির্গমন দেখা দেওয়া হয়।

সমস্ত ধরনের নির্গমন বিভিন্ন ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহৃত হয়, তবে প্রায়শই সর্বাধিক সুবিধামত নিয়ন্ত্রিত থার্মোলেট্রনিক নির্গমন ব্যবহৃত হয়।

একটি অস্থিতিশীল ক্যাথোড দ্বারা ইলেকট্রন ellipment milking গতি শক্তি বৃদ্ধি কারণে ঘটে

তাপ প্রবাহ কারণে ধাতু ইলেকট্রন। মেটাল তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে, নিখরচায় জোনের (§ 35) এর ইলেকট্রনগুলি উচ্চতর শক্তির মাত্রায় চলছে, আউটপুটের ক্রিয়াকলাপটি অতিক্রম করতে যথেষ্ট শক্তি অর্জন করে (§ 33)।

পাইপলাইনগুলিতে প্রয়োগ করা ভোল্টেজটি ক্যাথোড পদার্থ থেকে প্রতি সেকেন্ডে নির্গত ইলেক্ট্রনের সংখ্যা প্রভাবিত করে না; বৈদ্যুতিক গানের উপস্থিতিতে, ক্যাথোড পদার্থ থেকে ভাঙা ইলেক্ট্রনগুলি ক্যাথোড থেকে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের কর্মকাণ্ডের অধীনে স্থানান্তরিত হয়; যদি কোন ক্ষেত্র থাকে না, তবে তারা ফিরে আসে, তবে অন্যরা তাদের জায়গায় ক্রল করে, এবং একটি অসাধারণ ইলেকট্রনিক মেঘটি মেটাল ধাতব ধাতব পৃষ্ঠের উপরে স্থানটিতে গঠিত হয়।

এন্টি-মেটাল মেটালের পৃষ্ঠের উপরে একটি ইলেক্ট্রন ক্লাউড গঠন তরল পদার্থের বাষ্পের মতো একটি ঘটনা। উচ্চ তাপমাত্রা উচ্চ তাপমাত্রা, ইলেকট্রনের পরিমাণের পরিমাণ বিরোধী-মেটাল ধাতু পৃষ্ঠ ছেড়ে দেয়। ধাতু ছেড়ে প্রতিটি ইলেক্ট্রন, ইতিবাচক ধাতু আয়ন থেকে আকর্ষণ অতিক্রম করা উচিত। অতএব, ধাতব পদার্থের মধ্যে "ইলেক্ট্রন গ্যাস" থেকে, শুধুমাত্র সেই ইলেক্ট্রনগুলি ভেঙ্গে যায়, যা গতিশীল শক্তি "আউটপুট" অতিক্রম করে।

ইলেকট্রনিক ক্লাউড বিরোধী-ধাতব ধাতু পৃষ্ঠের কাছাকাছি স্থানটিতে অবস্থিত একটি নেতিবাচক চার্জ। একটি প্রচলিত সারফেস চার্জের বিপরীতে, একটি ইলেকট্রনিক মেঘটি একটি স্থানিক চার্জ বলা হয়।

ক্রমবর্ধমান তাপমাত্রা সঙ্গে, ঘূর্ণিত ধাতু দ্বারা নির্গত ইলেক্ট্রনের প্রবাহ, এটি প্রথম ধীরে ধীরে বৃদ্ধি, এবং তারপর দ্রুত এবং দ্রুত বৃদ্ধি পায়। রিচার্ডসন তাত্ত্বিকভাবে সূত্র তৈরি করেছেন যা নির্গমন শরীরের তাপমাত্রা থেকে ইলেকট্রনের নির্গমনের তীব্রতা প্রকাশ করে। ঘূর্ণিত ধাতুটি যদি ভ্যাকুয়াম টিউবের ক্যাথোড হয় তবে যেমন একটি ভোল্টেজটি প্রয়োগ করা হয়, ধাতু দ্বারা নির্গত সমস্ত ইলেকট্রন একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের দ্বারা উপভোগ করা হয়, ইলেক্ট্রনের নির্গমনের তীব্রতা নির্গমন বর্তমানের পরিমাণ দ্বারা পরিমাপ করা হবে বিরোধী ধাতু ধাতু পৃষ্ঠ প্রতিটি বর্গ সেন্টিমিটার আসছে। নির্দিষ্ট মান একটি সম্পৃক্তি বর্তমান সময়ে একটি নির্গমন বর্তমান ঘনত্ব বলা হয়। (যদি ইলেক্ট্রোডগুলিতে খুব ছোট ভোল্টেজ থাকে তবে ধাতু দ্বারা নির্গত সমস্ত ইলেকট্রন ক্ষেত্রের শখ নয়, এবং বর্তমান ঘনত্ব একটি স্যাচুরেশন বর্তমানের চেয়ে কম হবে, আমি কম।

সূত্র রিচার্ডসনকে ব্যাখ্যা করার জন্য, আমরা কল্পনা করব যে পৃষ্ঠের বিরোধী-মেটাল মেটাতে একটি অর্ধ-খোলা গহ্বর রয়েছে (চিত্র 185)। পরিসংখ্যানগত ভারসাম্য ঘনত্ব সঙ্গে

boltzmann এর মৃতদেহ অনুযায়ী এই গহ্বর মধ্যে ইলেকট্রন (টি। আমি, § 98) সমান হবে

মেটালের জন্য বিনামূল্যে (বা বা বরং আধা-বন্ডযুক্ত) ইলেকট্রনের ঘনত্ব যেখানে একটি ধাতু থেকে ইলেক্ট্রন আউটপুটের অপারেশন, ধাতু ধাতুতে ইলেক্ট্রনের সম্ভাব্য শক্তির মধ্যে পার্থক্যের সমান হয়। : বোল্ট হোল্ডার ধ্রুবক এবং পরম তাপমাত্রা।

গহ্বরের গহ্বরের গর্ত থেকে প্রতিটি সেকেন্ডের ইলেকট্রনগুলির সংখ্যা, অর্থাৎ থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের ঘনত্বের ঘনত্ব, গহ্বরের তাপমাত্রার তাপমাত্রার গড় গতির গড় বেগরির পণ্যটির সমান মূল্যের পরিমাণ (এবং গড় হার গহ্বর মধ্যে ইলেকট্রনের ঘনত্ব আনুপাতিক হয়। এটা হয়ে গেল

এটি সূত্র রিচার্ডসন।

এখানে পরম তাপমাত্রা, প্রাকৃতিক লগারিদমগুলির ভিত্তিটি বিভিন্ন ধাতুগুলির জন্য বিভিন্ন মান ধারণ করে ধ্রুবক মান।

যেহেতু ধ্রুবকটি ডিগ্রীটির নির্দেশক হিসাবে থাকে, তাই তার মূল্যটি কোষের তুলনায় নির্গমন বর্তমান ঘনত্বের মূল্যের উপর অনেক বেশি প্রভাব ফেলে, কম ধ্রুবক, বৃহত্তর (অন্যান্য জিনিসগুলির সমান, অর্থাৎ নির্দিষ্ট সহ নির্গমন বর্তমান ঘনত্ব।

রিচার্ডসন সূত্র প্রত্যাহারের ধারনা অনুসারে, কোষের অভ্যন্তরে ইলেক্ট্রন গ্যাসের ভলিউমের একটি ইউনিটে ইলেক্ট্রনের সংখ্যা সমানুপাতিক। EM অধিবেশন ধ্রুবক একটি ইলেক্ট্রন আউটপুট অপারেশন হয়।

পরীক্ষাগুলি দেখিয়েছে যে নির্গমন বর্তমান রিচার্ডসন আইন (1) এর চেয়ে কিছুটা দ্রুত তাপমাত্রায় বৃদ্ধি বৃদ্ধি করে। নির্গমন সূত্রের আউটপুটে রিচার্ডসন উপস্থাপনা থেকে এগিয়ে যান যে ধাতুতে ইলেক্ট্রন আন্দোলনের বেগগুলি ম্যাক্সওয়েল আইনের অধীনে বিতরণ করা হয়। যাইহোক, বাস্তবিকই (যেমনটি § 30 তে ব্যাখ্যা করা হয়েছিল), স্বাভাবিক তাপমাত্রায় ধাতুতে ইলেক্ট্রন গ্যাসটি হ্রাস পায় এবং Fermi পরিসংখ্যান সাপেক্ষে।

কোয়ান্টাম তত্ত্বের উপর ভিত্তি করে, ডোশমেন (19২3) দেখিয়েছেন যে রিচার্ডসন এর সূত্রটি নিম্নোক্ত সূত্র দ্বারা প্রতিস্থাপিত করা উচিত:

এই সূত্রের মধ্যে, তাত্ত্বিকভাবে ধ্রুবক সমস্ত ধাতু এবং সমান জন্য একই হওয়া উচিত

(এখানে ইলেক্ট্রনের ভর এবং চার্জ, - বল্টজম্যান কনস্ট্যান্ট, এইচ একটি ধ্রুবক প্লেট)। কিছু বিশুদ্ধ ধাতু জন্য, এই ধ্রুবকটি সত্যিই নির্দিষ্ট মানের কাছাকাছি, তবে অন্যান্য ধাতুগুলির জন্য এটি একটি মান আছে, কিছু ক্ষেত্রে, অন্যান্য ক্ষেত্রে প্রায় দুই গুণ ছোট।

কনস্টান্ট একটি রিচার্ডসনের আইনের মধ্যে - ডসম্যানের একই অর্থ এবং একই পরিমাণ রিচার্ডসনের আইন (1), যেমন, ধাতু থেকে ইলেক্ট্রন আউটপুটের কাজ। তাত্ত্বিকভাবে, কোনও ধাতু থেকে দুটি ইলেক্ট্রনের বাইরে একটি ইলেক্ট্রনের অপারেশনে পার্থক্যটি ভ্যাকুয়েতে এই ধাতুগুলির সাথে যোগাযোগের পার্থক্যের সমান হওয়া উচিত, যা সাধারণত এই ধাতুগুলির জন্য ধ্রুবক বি একই ক্ষেত্রেই নিশ্চিত হয়।

EM অধিবেশন কনস্ট্যান্ট

(স্ক্যান দেখুন)

যদি ধ্রুবক সংখ্যাসূচক মান এবং Avogadrov থেকে সংখ্যাটি গুণমান করে, তবে এর ফলে সংখ্যাগুলি হ'ল ইলেক্ট্রনের গ্রাম-পরমাণু "এর বাষ্পীভবনের গোপন তাপের অর্থ হ'ল।

চিত্রের মধ্যে। 186 দেখায় কিভাবে তাপমাত্রা বৃদ্ধি তাপমাত্রা বৃদ্ধির জন্য নির্গমন হার তাপমাত্রা বৃদ্ধি পায়। 2000 থেকে ২100 ডিগ্রি পর্যন্ত টংস্টেনের তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে, কেবলমাত্র 5%, নির্গমন বর্তমান ঘনত্ব প্রায় 4 টি বৃদ্ধি পায়।

২000 থেকে 3000 ° থেকে ২000 থেকে 3000 ° পর্যন্ত টংস্টেন তাপমাত্রা লক্ষ লক্ষ বারের মধ্যে থার্মোইলেট্রনিক নির্গমন ঘনত্বের দিকে পরিচালিত করে।

কিছু অমেধ্য ইলেকট্রনিক নির্গমনের মাত্রা উপর একটি অত্যন্ত শক্তিশালী প্রভাব আছে। অনেক বিজ্ঞানী এবং বিশেষত ল্যাংমুর (1913-19২3) দ্বারা অমেধ্যের এই প্রভাবটি বিস্তারিতভাবে অধ্যয়ন করা হয়েছিল। Thorium এর thinnest ফিল্মের সাথে আচ্ছাদিত টংস্টেন ইলেকট্রনের নির্গমন দেয়, যা প্রায় 1000-1500 ডিগ্রি কে কে মিলিয়ন এবং কোটি কোটি টাকায় বিশুদ্ধ টংস্টেনের নির্গমনের তাপমাত্রায়। একই সাথে সিসিয়াম ফিল্ম, বারিয়াম এবং কিছু ধাতু অক্সাইডগুলির দ্বারা সৃষ্ট একই এবং আরও বেশি বৃদ্ধি ঘটে। রোলিং বিশুদ্ধ টংস্টেনের পৃষ্ঠায় নির্গমনের বর্তমানটি প্রায় 2300 ° তাপমাত্রায় প্রাপ্ত হয় যখন "অক্সিডাইজড" টংস্টেন একই নির্গমন বর্তমান ঘনত্ব প্রায় 1300 ডিগ্রি কে। বিশেষ প্রক্রিয়াকরণ, অ্যানিমিক এবং অক্সিডাইজড টংস্টেন টংস্টেনের ঘটনাটির উপর ভিত্তি করে যন্ত্রপাতিগুলিতে একটি বিস্তৃত আবেদন রয়েছে। নির্গমন।

ডুমুর। 186. Wolframa জন্য রিচার্ডসন এর আইন চার্ট।

তুলনা করার জন্য, ভাস্বর ক্যাথোডগুলি তাপ অপচয় করার জন্য ক্ষমতার জন্য মোট নির্গমন বর্তমানের অনুপাত দ্বারা চিহ্নিত করা হয়। তাপমাত্রা তাপমাত্রায় টংস্টেন তারের কে শক্তি বর্তমান প্রতিটি ওয়াট মধ্যে নির্গমন একটি বর্তমান দিতে। (টংস্টেন থ্রেডের তাপমাত্রা ২600 ° অত্যধিকভাবে তাদের পরিষেবার জীবনকে উত্তোলন করে।) অক্সিডাইজড টংস্টেনের ক্যাথডগুলি তাদের জন্য স্বাভাবিক তাপমাত্রা তাপমাত্রায় দেওয়া হয়, প্রায় 1000 ডিগ্রি সেলসিয়াস স্রোতগুলি প্রায় একই নির্গমনের মধ্যে ক্যাথোড দেয় 1850 ° একটি স্বাভাবিক তাপমাত্রা সঙ্গে টোকড tungsten। যাইহোক, অ্যানোড এবং ক্যাথোড, অক্সিডাইসড এবং থার্মেড ক্যাথডগুলির মধ্যে উচ্চ ভোল্টেজগুলিতে গ্যাসের অবশিষ্টাংশের ইতিবাচক আয়নগুলির সাথে ক্যাথোডের বোমা হামলা থেকে দ্রুত।

থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের ব্যবহারের জন্য, দুটি ধরনের ক্যাথডগুলি ব্যবহার করা হয়: সরাসরি তাপ, ব্যাটারি থেকে সরাসরি বর্তমান দ্বারা চালিত বা ট্রান্সফরমার থেকে নিম্ন ভোল্টেজের বর্তমানের বিকল্প এবং পরোক্ষ গ্যাস (উত্তপ্ত গ্যাস (উত্তপ্ত)। পরোক্ষ glow ক্যাথোড (Fig। 187), তারের, জ্বলজ্বলে, স্থাপন করা হয়

একটি সংকীর্ণ সিরামিক সিলিন্ডার ভিতরে এবং শুধুমাত্র এই সিলিন্ডার গরম করার জন্য কাজ করে; থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনটি সিলিন্ডারের বাহ্যিক ধাতব পৃষ্ঠ দ্বারা পরিচালিত হয় (ধাতু স্তরটির উপর সিলিন্ডার ক্যাথোডটি বিরল ভূমি সহ ক্যালসিয়াম অক্সাইডের পাতলা স্তর দিয়ে লেপা হয়)।

থার্মোইলেট্রনিক নির্গমন ইলেকট্রনিক ল্যাম্পের মধ্যে সর্বাধিক বিস্তৃত ব্যবহার, যা বিভিন্ন রেডিও প্রকৌশল এবং বিভিন্ন ডিভাইস থাকে, তবে একই সময়ে একটি সাধারণ বৈশিষ্ট্য রয়েছে। যেমন, ইলেকট্রনিক ল্যাম্পে, অন্যান্য থার্মোইলেট্রনিক ডিভাইসগুলির বিপরীতে, ইলেক্ট্রোডগুলি এতটাই স্থাপন করা হয় যাতে তাদের দ্বারা তৈরি ক্ষেত্রটি স্পেসিয়াল চার্জের ক্ষেত্রের উপর চাপিয়ে দেয় (ঘূর্ণায়মান ক্যাথোডের পৃষ্ঠের ইলেকট্রন মেঘ), ছোট ভোল্টেজের সাথে অনুমোদিত ল্যাম্পের মাধ্যমে থার্মোইলেট্রনিক বর্তমান চলমান তাপমাত্রার পরিমাপে তীব্র এবং বড় পরিবর্তনগুলি অর্জনের জন্য, সহায়ক ইলেক্ট্রোডগুলির সংক্ষিপ্ত বিবরণগুলি সম্ভব। এই প্রান্তে, ইলেকট্রনিক ল্যাম্পের অ্যানড এবং অতিরিক্ত জালের ইলেক্ট্রোডগুলি সাধারণত কঠোরভাবে হিসাবযুক্ত মাত্রাগুলির সমঝোতা সিলিন্ডারগুলির আকারে উপযুক্ত এবং ক্যাথোডকে সিলিন্ডারের অক্ষের সাথে আলোকিত করে। ইলেকট্রনিক আলো প্রভাব §§ 52 এবং 53 মধ্যে disassembled হয়।

থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের গুরুত্বপূর্ণ অ্যাপ্লিকেশনের একটিতে - "ইলেক্ট্রন গান" সম্পর্কে, যা ক্যাথোড অসিওলোস্কোপে একটি ইলেক্ট্রন মরীচি অর্জনের জন্য, § 68 তে বর্ণিত হয়। ইলেক্ট্রন বন্দুকটিতে, অ্যান্টিভেড ক্যাথোড দ্বারা নির্গত ইলেকট্রনগুলি একটি উল্লেখযোগ্য ক্যাথোড এবং বাদ্যযন্ত্র Anodes মধ্যে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রে ত্বরণ। ইলেক্ট্রন ফ্লোকে ত্বরান্বিত করার এই পদ্ধতিটি অনেকগুলি ইলেকট্রনিক ডিভাইসে ব্যবহৃত হয় এবং বিশেষ করে, উচ্চ-ভোল্টেজে (প্রতি লক্ষ লক্ষ ভোল্ট) ইলেকট্রনিক টিউবগুলিতে পারমাণবিক পারমাণবিক গবেষণা করার উদ্দেশ্যে।

ডুমুর। 187. পরোক্ষ গ্যাসের ক্যাথডস (উত্তপ্ত)।

এই টিউব এবং পারমাণবিক পারমাণবিক পদার্থবিজ্ঞানের অন্যান্য শক্তিশালী অ্যাক্সিলারেটর ডিভাইসগুলির ডিভাইসটি, যা থার্মোইলেট্রনিক বর্তমান (betatrons) ব্যবহার করা হয় এবং অ্যাক্সিলারেটর এবং ফোকাসকারী ক্ষেত্রগুলি গণনা করার পদ্ধতিগুলি পরমাণু এবং ইলেকট্রনিকের পদার্থবিজ্ঞানের বিভাগে ব্যাখ্যা করা হয় অবশ্যই তৃতীয় ভলিউম অপটিক্স।

নিয়ন্ত্রণ প্রশ্ন .. 18

9. ল্যাবরেটরি কাজ নম্বর 2। কম নির্গমন বর্তমান ঘনত্ব এ Thermoelectronic নির্গমন অধ্যয়ন . 18

কাজ সম্পাদন করার পদ্ধতি .. 19

রিপোর্ট প্রয়োজনীয়তা . 19

নিয়ন্ত্রণ প্রশ্ন .. 19

ভূমিকা

Emission ইলেকট্রনিক্স স্টাডিজ Electrons condensed মাধ্যম emitting (নির্গমন) সঙ্গে যুক্ত ঘটনা ঘটনা। ইলেকট্রনিক নির্গমন ঘটে যেখানে শরীরের ইলেকট্রনের একটি অংশ তার সীমান্তে সম্ভাব্য বাধা অতিক্রম করার জন্য যথেষ্ট শক্তির বাহ্যিক প্রভাব অর্জন করে, অথবা যদি বাহ্যিক বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রটি ইলেক্ট্রনের অংশটির জন্য "স্বচ্ছ" করে তোলে। বহিরাগত প্রভাব প্রকৃতির উপর নির্ভর করে:

• থার্মোইলেট্রনিক নির্গমন (গরম সংস্থা);
• মাধ্যমিক ইলেকট্রনিক নির্গমন (ইলেকট্রন দ্বারা পৃষ্ঠ বোমা হামলা);
• আয়ন-ইলেকট্রনিক নির্গমন (আয়ন দ্বারা পৃষ্ঠ বোমা হামলা);
• photoelectron নির্গমন (ইলেক্ট্রোম্যাগনেটিক বিকিরণ);
• exoelectronic. Emissia (যান্ত্রিক, তাপ এবং পৃষ্ঠ চিকিত্সা অন্যান্য ধরনের);
• অটো-ইলেকট্রনিক নির্গমন (বহিরাগত বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র), ইত্যাদি

সমস্ত ঘটনাগুলিতে, ক্রিস্টাল থেকে ক্রিস্টাল থেকে ইলেক্ট্রনের আউটপুটটি বিবেচনা করা দরকার, অথবা একটি স্ফটিকের থেকে অন্যটিতে রূপান্তর করা প্রয়োজন, "আউটপুট" নামে পরিচিত বৈশিষ্ট্যটি মূল্য অর্জন করে। প্রস্থান করার ক্রিয়াকলাপটি একটি কঠিন একটি ইলেক্ট্রনটি সরাতে এবং এটি একটি বিন্দুতে স্থানান্তরিত করার জন্য প্রয়োজনীয় সর্বনিম্ন শক্তি হিসাবে সংজ্ঞায়িত করা হয় যেখানে এটির সম্ভাব্য শক্তিটি শর্তাধীনভাবে শূন্যের সমান গ্রহণ করে। বিভিন্ন নির্গমন ঘটনার বিবরণ ছাড়াও, প্রস্থান কাজের ধারণাটি দুইটি ধাতু, একটি সেমিকন্ডাক্টর, দুটি সেমিকন্ডাক্টর এবং গালভানিক ফেনভাসের সাথে দুটি মেটাল, দুটি সেমিকন্ডাক্টরগুলির সাথে যোগাযোগের সম্ভাব্যতাগুলির সাথে যোগাযোগের পার্থক্যের ঘটনা ব্যাখ্যা করার ক্ষেত্রে একটি গুরুত্বপূর্ণ ভূমিকা পালন করে।

পদ্ধতিগত নির্দেশাবলী দুটি অংশ গঠিত। প্রথম অংশটি সলিডগুলিতে নির্গমন ঘটনাগুলিতে মৌলিক তাত্ত্বিক তথ্য রয়েছে। ফোকাস Thermoelectronic নির্গমন ঘটনা উপর হয়। দ্বিতীয় অংশটি থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের পরীক্ষামূলক গবেষণায় গবেষণাগার কাজকে বর্ণনা করে, সম্ভাব্যতার সাথে যোগাযোগের পার্থক্য এবং নমুনার পৃষ্ঠায় কাজের বন্টন।

পার্ট 1. মৌলিক তাত্ত্বিক তথ্য

1. একটি ইলেক্ট্রন আউটপুট অপারেশন। পৃষ্ঠ রাজ্যের কাজ উপর প্রভাব

ইলেক্ট্রনগুলি কঠিনের ভিতরে অনুষ্ঠিত হয় তা নির্দেশ করে যে শরীরের পৃষ্ঠের স্তরটি একটি বজায় রাখার ক্ষেত্রটি ঘটে যা এটি থেকে পার্শ্ববর্তী ভ্যাকুয়ামে ইলেকট্রনগুলিকে বাধা দেয়। কঠিন সীমানা উপর একটি সম্ভাব্য বাধা একটি পরিকল্পিত উপস্থাপনা চিত্র দেওয়া হয়। 1. স্ফটিক ছেড়ে, ইলেক্ট্রন আউটপুট সমান একটি কাজ করা উচিত। পার্থক্য থার্মোডাইনামিক এবং বহিরাগত আউটপুট অপারেশন।

প্রস্থান করার তাপমাত্রা অপারেশনটি কঠিন শরীরের ভ্যাকুয়াম এবং Fermi শক্তির মধ্যে পার্থক্য বলা হয়।

প্রস্থান এর বহিরাগত কাজ (বা ইলেক্ট্রন এফিনিটি) ভ্যাকুয়ামের শূন্য স্তরের শক্তি এবং সঞ্চালনের জোনের নীচে শক্তির মধ্যে পার্থক্য (চিত্র 1) এর শক্তির মধ্যে পার্থক্য।

আপনি কঠিন এবং ভ্যাকুয়ামের সীমানাতে সম্ভাব্য বাধা ঘটানোর জন্য দুটি প্রধান কারণ উল্লেখ করতে পারেন। তাদের মধ্যে একটি হল ইলেক্ট্রনটি ক্রিস্টালের বাইরে উড়ন্ত, তার পৃষ্ঠের একটি ইতিবাচক বৈদ্যুতিক চার্জকে প্রবর্তন করে। ইলেকট্রন এবং ক্রিস্টালের পৃষ্ঠের মধ্যে আকর্ষণের শক্তি (বৈদ্যুতিক চিত্রের শক্তি, ধারা 5, চিত্রটি দেখুন, Fig। 12), ইলেক্ট্রনটিকে ক্রিস্টালের কাছে ফিরে যাওয়ার জন্য অনুসন্ধান করুন। আরেকটি কারণ হল যে তাপ আন্দোলনের কারণে ইলেকট্রনগুলি ধাতুগুলির পৃষ্ঠটি অতিক্রম করতে পারে এবং এটি থেকে ছোট দূরত্বের (পারমাণবিক ক্রম) থেকে সরানো যেতে পারে। তারা পৃষ্ঠ উপরে একটি নেতিবাচক চার্জ স্তর গঠন। এই ক্ষেত্রে স্ফটিকের পৃষ্ঠায়, ইলেক্ট্রন প্রস্থান করার পরে, আয়নগুলির একটি ইতিবাচক অভিযুক্ত স্তর গঠিত হয়। ফলস্বরূপ, একটি ডবল বৈদ্যুতিক স্তর গঠিত হয়। এটি বাহ্যিক স্থানটিতে ক্ষেত্রগুলি তৈরি করে না, তবে দ্বৈত স্তরটির ভিতরে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রটি অতিক্রম করতেও এটি কাজ করার প্রয়োজন হয়।

অধিকাংশ ধাতু এবং সেমিকন্ডাক্টরগুলির জন্য আউটপুটের মান কয়েকটি ইলেক্ট্রন ভোল্ট। উদাহরণস্বরূপ, লিথিয়ামের জন্য, প্রস্থান কাজটি 2.38 ইভি, লোহা - 4.31 ইভি, জার্মানি - 4.76 ইভি, সিলিকন - 4.8 ইভি। প্রস্থান করার একটি বৃহত্তম মান একক স্ফটিকের মুখের স্ফটিকের অভিযোজন দ্বারা নির্ধারিত হয়, যার সাথে ইলেক্ট্রনের নির্গমন ঘটে। এর জন্য (110) - টংস্টেনের এক্সপোজিশনটি 5.3 ইভি, কারণ (111) এবং (100) -লস্টিস, এই মূল্যগুলি যথাক্রমে 4.4 ইভি এবং 4.6 ইভি সমান।

স্ফটিকের পৃষ্ঠায় প্রয়োগ করা পাতলা স্তরগুলি প্রস্থান করার কাজের উপর একটি বড় প্রভাব। স্ফটিকের পৃষ্ঠের উপর পরীক্ষা করা পরমাণু বা অণুগুলি প্রায়ই এটিতে একটি ইলেক্ট্রন দেয় বা এটি থেকে একটি ইলেক্ট্রন নেয় এবং আয়ন হয়ে যায়। চিত্রের মধ্যে। 2 মেটালের ইলেক্ট্রন আউটলেটের থার্মোডাইনামিক অপারেশনটি যখন মেটালের শক্তি চিত্র চিত্র এবং একটি অন্তরক পরমাণু দেখায় W 0. আইও নিযের শক্তির চেয়ে বেশি ই আয়ন তার পৃষ্ঠায় precipitating পরমাণু, এই অবস্থায় একটি পরমাণু একটি ইলেক্ট্রন অনলসভাবে উপকারী protoonline. ধাতু মধ্যে এবং Fermi স্তর এটি নিচে যান। যেমন পরমাণুগুলির সাথে আচ্ছাদিত ধাতু পৃষ্ঠটি নেতিবাচকভাবে চার্জ করা হয় এবং ইতিবাচক আয়নগুলির সাথে দ্বিগুণ বৈদ্যুতিক স্তর গঠন করে, যার ক্ষেত্রটি ধাতুটির আউটলেটের ক্রিয়াকলাপকে হ্রাস করবে। চিত্রের মধ্যে। এস, কিন্তু monolayer cesium দ্বারা আচ্ছাদিত একটি tungsten স্ফটিক দেখানো হয়। উপরে আলোচনা করা পরিস্থিতি এখানে শক্তি হিসাবে বাস্তবায়িত হচ্ছে। ই আয়ন Cesium (3.9 EV) Tungsten প্রস্থান (4.5 EV) এর প্রস্থান করার চেয়ে কম। পরীক্ষায়, প্রস্থান করার অপারেশন তিনবার বেশি হ্রাস পায়। টংস্টেন অক্সিজেন পরমাণুগুলির সাথে লেপা থাকলে বিপরীত পরিস্থিতি পালন করা হয় (চিত্র 3 বি)। যেহেতু অক্সিজেনের ভ্যালেন্স ইলেকট্রনের সংযোগটি টংস্টেনের চেয়ে শক্তিশালী, তখন টংস্টেন পৃষ্ঠের অক্সিজেন adsorption একটি দ্বিগুণ বৈদ্যুতিক স্তর গঠন করা হয়, যা ধাতুটির আউটলেটের অপারেশন বাড়ায়। সর্বাধিক প্রায়শই এই ক্ষেত্রে প্রয়োগ করা হচ্ছে যখন পৃষ্ঠের বায়ুমণ্ডলটি তার ইলেক্ট্রন মেটালটি সম্পূর্ণরূপে সংশোধন করে না বা অতিরিক্ত ইলেক্ট্রন তৈরি করে না, তবে তার ইলেকট্রনিক শেলকে বিকৃত করে যাতে পৃষ্ঠের উপর adsorbed পরমাণু ধূমপায়ী হয় এবং বৈদ্যুতিক dipoles হয় (Fig। 3 V)। ডিপোলের অভিযোজনের উপর নির্ভর করে, ধাতু আউটলেটের অপারেশন হ্রাস পায় (ডিপোলের অভিযোজন চিত্র 3 ভি) বা বৃদ্ধি পায়।

2. Thermoelectronic নির্গমন ঘটনা

থার্মোইলেট্রনিক নির্গমন কঠিন পৃষ্ঠের ইলেক্ট্রন নির্গমনের ধরনগুলির মধ্যে একটি। থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের ক্ষেত্রে, বাহ্যিক প্রভাবটি কঠিনটির গরমের সাথে যুক্ত।

থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের ঘটনাটি একটি ভ্যাকুয়াম বা অন্য বুধবারে উত্তপ্ত দেহের (emitters) সঙ্গে ইলেক্ট্রনের নির্গমন।

তাপমাত্রা ভারসাম্যহীনতা, ইলেকট্রন সংখ্যা এন (ই)থেকে অন্তর্বর্তী শক্তি হচ্ছে ই। আগে ই।+ডি ই।Fermi Dirac পরিসংখ্যান দ্বারা নির্ধারিত:

,(1)

কোথায় জি (ই) - শক্তি সংশ্লিষ্ট কোয়ান্টাম রাজ্যের সংখ্যা ই।; ই। এফ। - Fermi শক্তি; কে। - স্থায়ী বল্টজম্যান; টি। - পরম তাপমাত্রা।

চিত্রের মধ্যে। 4 শক্তি দ্বারা ধাতু শক্তি প্রকল্প এবং ইলেক্ট্রন বন্টন কার্ভ দেখায় যখন টি।\u003d 0 কে, কম তাপমাত্রায় টি 1 এবং উচ্চ তাপমাত্রা টি 2।। Fermi শক্তি তুলনায় কম ইলেকট্রনের শক্তি 0 এ। ইলেকট্রন কোনটি স্ফটিক ছাড়তে পারে না এবং কোন থার্মোইলেট্রনিক নির্গমন দেখা যায় না। ক্রমবর্ধমান তাপমাত্রা সঙ্গে, ধাতু বৃদ্ধি প্রস্থান করতে সক্ষম তাপমাত্রা electrons সংখ্যা, যা থার্মোলেট্রনিক নির্গমন ঘটনা ঘটে। চিত্রের মধ্যে। 4 যে দ্বারা চিত্রিত করা হয় টি \u003d টি 2 বন্টন বক্ররেখাটির "টাইল" সম্ভাব্য খড়ের শূন্য স্তরের প্রবেশ করে। এটি সম্ভাব্য বাধাটির উচ্চতা অতিক্রম করে শক্তির সাথে ইলেকট্রনের উত্থানকে নির্দেশ করে।

ধাতু জন্য, আউটপুট অপারেশন বিভিন্ন ইলেক্ট্রন ভোল্ট হয়। শক্তি কে। টি। এমনকি হাজার হাজার কেলভিনভ, ইলেক্ট্রন-ভোল্ট শেয়ারের তাপমাত্রা। বিশুদ্ধ ধাতুগুলির জন্য, ইলেকট্রনের উল্লেখযোগ্য নির্গমন ২000 কে কে তাপমাত্রায় প্রাপ্ত করা যেতে পারে। উদাহরণস্বরূপ, বিশুদ্ধ টংস্টেনে, ২500 কে এর তাপমাত্রায় একটি উল্লেখযোগ্য নির্গমন পাওয়া যাবে।

থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের অধ্যয়ন করার জন্য, উষ্ণ শরীর (ক্যাথোড) পৃষ্ঠের পৃষ্ঠায় একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি করা প্রয়োজন, ইলেক্ট্রনগুলি ত্বরান্বিত করে emitter পৃষ্ঠ থেকে তাদের (স্তন্যপান) অপসারণ করতে। একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের কর্মের অধীনে, নির্গমন ইলেকট্রনগুলি গতিতে আসে এবং একটি বৈদ্যুতিক বর্তমান গঠিত হয়, যা বলা হয় thermoelectronic.। থার্মোইলেট্রনিক বর্তমান পালন করতে, একটি ভ্যাকুয়াম ডায়োড সাধারণত ব্যবহৃত হয় - দুটি ইলেক্ট্রোডের সাথে একটি বৈদ্যুতিন বাতি। বাতিটির ক্যাথোডটি অবাধ্য মেটাল (টংস্টেন, মলিবডেন, ইত্যাদি) থেকে একটি থ্রেড সরবরাহ করে, বৈদ্যুতিক শক দ্বারা ভাস্বর। Anode সাধারণত glowable ক্যাথোড পার্শ্ববর্তী একটি ধাতু সিলিন্ডার আকৃতি আছে। থার্মোইলেট্রনিক বর্তমান পালন করতে, ডায়োডটি চিত্রটিতে দেখানো সার্কিটে অন্তর্ভুক্ত করা হয়েছে। 5. স্পষ্টত, থার্মোইলেট্রনিক বর্তমান শক্তি ক্রমবর্ধমান পার্থক্য বৃদ্ধি সঙ্গে বৃদ্ধি করা উচিত ভি। অ্যানোড এবং ক্যাথোড মধ্যে। যাইহোক, এই বৃদ্ধি আনুপাতিকভাবে নয় ভি। (চিত্র 6)। একটি নির্দিষ্ট ভোল্টেজ পৌঁছানোর পরে, থার্মোইলেট্রিক বর্তমান ক্রমবর্ধমান কার্যকরীভাবে বাতিল করা হয়। এই ক্যাথোড তাপমাত্রায় তাপমাত্রা বর্তমানের সীমিত মান একটি সম্পৃক্তি বর্তমান বলা হয়। স্যাচুরেশন বর্তমানের মূল্যটি থার্মোইলেট্রনগুলির পরিমাণ দ্বারা নির্ধারিত হয়, যা প্রতি ইউনিটের ক্যাথোডের পৃষ্ঠ থেকে প্রস্থান করতে সক্ষম। এই ক্ষেত্রে, ক্যাথোড থেকে থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের ফলে সরবরাহকৃত সমস্ত ইলেকট্রন বৈদ্যুতিক বর্তমান গঠনের জন্য জড়িত।

3. তাপমাত্রা থেকে থার্মোইলেট্রনিক বর্তমান নির্ভরতা। সূত্র রিচার্ডসন-ডেজম্যান

থার্মোইলেট্রনিক বর্তমানের ঘনত্ব গণনা করার সময় আমরা ইলেকট্রনিক গ্যাস মডেল ব্যবহার এবং প্রয়োগ করা হবে তার পরিসংখ্যান Fermi Dirac। এটা স্পষ্ট যে থার্মোইলেট্রনিক বর্তমানের ঘনত্বটি ক্রিস্টাল পৃষ্ঠের কাছাকাছি ইলেক্ট্রন ক্লাউড ঘনত্ব দ্বারা নির্ধারিত হয়, যা সূত্র (1) দ্বারা বর্ণিত হয়। আসুন আমরা এই সূত্রটি ইলেকট্রনের বন্টন থেকে ইলেকট্রনের বন্টন থেকে ইলেকট্রনের বিতরণ থেকে চালু করি। একই সময়ে, ইলেক্ট্রন ওয়েভ ভেক্টরের অনুমোদিত মান কে। ভিতরে কে। -Spare একেবারে বিতরণ করা হয় যাতে প্রতিটি মূল্যের জন্য কে। 8 জন্য অ্যাকাউন্ট। পি। 3 (একটি স্ফটিক ভলিউম এক সমান জন্য)। যে ইমেল পালস বিবেচনা পি \u003d ћ কে। আমরা পাইপ স্পেসের ভলিউমের উপাদানটিতে কোয়ান্টাম স্টেটগুলির সংখ্যাটি পাই ডিপি এক্স।ডিপি Y.ডিপি জেড।সমান হবে

(2)

সূত্রের সংখ্যার দুটি (২) অ্যাকাউন্টে ইলেক্ট্রন স্পিনের দুটি সম্ভাব্য মান বিবেচনা করে।

আমরা অক্ষ নির্দেশ জেড। আয়তক্ষেত্রাকার সমন্বয় সিস্টেম ক্যাথোড পৃষ্ঠের স্বাভাবিক (চিত্র 7)। আমরা স্ফটিকের পৃষ্ঠায় একটি একক এলাকার সাইটটি হাইলাইট করি এবং এটি একটি পার্শ্ব প্রান্তের সাথে আয়তক্ষেত্রাকার সমান্তরালের ভিত্তিতে এটি তৈরি করি। v z \u003d।পি Z /এম এন।(এম এন। - কার্যকর ইলেক্ট্রন ভর)। ইলেকট্রন সম্পৃক্তি বর্তমান উপাদান ঘনত্বের মধ্যে ধন দিতে ভি জেড।অক্ষ বরাবর গতি জেড।। একটি ইলেক্ট্রন থেকে বর্তমান ঘনত্ব অবদান সমান

(3)

কোথায় ই। - ইলেক্ট্রন চার্জ।

সমান্তরালদের মধ্যে ইলেকট্রনগুলির সংখ্যা, যার গতি বিবেচনায় ব্যবধানে শেষ হয়:

ইলেক্ট্রন নির্গমনের জন্য, স্ফটিক জটিস ধ্বংস হয় না, ইলেকট্রনের একটি ক্ষুদ্র অংশ স্ফটিকের বাইরে থাকা উচিত। এই জন্য, সূত্র (4) হিসাবে দেখানো হয়েছে, একটি শর্ত সঞ্চালিত করা আবশ্যক তার এফ।>> কে।টি।। সূত্র (4) এর সূচক-এর যেমন ইলেকট্রনের জন্য, একটি ইউনিট অবহেলা করা যেতে পারে। তারপর এই সূত্র মনে রূপান্তরিত হয়

(5)

আমরা এখন ইলেকট্রন সংখ্যা পাবেন dN। ভলিউম বিবেচিত জেড।- যা impulse মধ্যে শেষ হয় আর জেড। এবং আর Z +।ডিপি জেড।। এটি করার জন্য, পূর্ববর্তী অভিব্যক্তি দ্বারা সংহত করা আবশ্যক আর এক্স. এবং আর Y. থেকে পরিসীমা থেকে + ∞। এটি সংহত করার সময় এটি বিবেচনা করা প্রয়োজন

,

এবং ট্যাবুলার অবিচ্ছেদ্য ব্যবহার করুন

,.

ফলস্বরূপ, আমরা পেতে

.(6)

এখন, বিবেচনা করা (3), আমরা সমান্তরালভাবে সমস্ত ইলেকট্রন দ্বারা তৈরি থার্মোলেট্রনিক বর্তমানের ঘনত্ব খুঁজে পাব। এর জন্য, অভিব্যক্তিটি (6) সমস্ত ইলেক্ট্রনের জন্য একত্রিত হওয়া আবশ্যক যার Fermi পর্যায়ে গতিশীল শক্তি ই ≥ই F +।W 0.শুধুমাত্র যেমন ইলেকট্রন স্ফটিক ছেড়ে দিতে পারেন এবং শুধুমাত্র তারা তাপমাত্রা গণনা একটি ভূমিকা পালন করতে পারেন। অক্ষ বরাবর যেমন ইলেকট্রন পালস জন্য impetus জেড। শর্ত সন্তুষ্ট করা আবশ্যক

.

অতএব, সম্পৃক্তিের ঘনত্ব বর্তমান

ইন্টিগ্রেশন সব মান জন্য সঞ্চালিত হয়। আমরা একটি নতুন ইন্টিগ্রেশন পরিবর্তনশীল পরিচয় করিয়ে

তারপর পি জে ডিপি Z \u003dএম এন ডু। এবং

.(8)

ফলস্বরূপ, আমরা পেতে

,(9)

,(10)

যেখানে ধ্রুবক

.

সমতা (10) সূত্র বলা হয় রিচার্ডসন-ডেজম্যান। থার্মোইলেট্রনিক স্যাচুরেশন বর্তমানের ঘনত্ব পরিমাপ করা, এই সূত্রটি ধ্রুবক একটি এবং আউটপুট W 0 গণনা করা সম্ভব। পরীক্ষামূলক হিসাবের জন্য, সূত্র রিচার্ডসন-ডেজম্যান সুবিধামত ফর্ম উপস্থিত

এই ক্ষেত্রে, গ্রাফ আসক্তি ln (জে /টি 2) থেকে 1। / টি। সোজা লাইন প্রকাশ করা হয়। মালিকের সাথে সরাসরি অন্তর্চ্ছেদ দ্বারা, আদেশগুলি ln গণনা করে কিন্তু , এবং ঢাল কোণার বরাবর, আউটপুট নির্ধারিত হয় (Fig। 8)।

4. সম্ভাব্য পার্থক্য যোগাযোগ করুন

বিভিন্ন আউটপুট কাজগুলির সাথে দুটি ধাতু, যেমন দুটি ইলেকট্রনিক conductors এর র্যাপপ্রশ্চ এবং যোগাযোগের সময় ঘটছে এমন প্রক্রিয়াগুলি বিবেচনা করুন। এই ধাতুগুলির শক্তি স্কিম চিত্র দেখানো হয়। 9. যাক ই। এফ 1। এবং ই। F 2। - যথাক্রমে প্রথম এবং দ্বিতীয় মেটাল জন্য Fermi শক্তি, এবং W 01। এবং W 02। - তাদের প্রস্থান কাজ। ধাতু একটি বিচ্ছিন্ন অবস্থায়, ভ্যাকুয়ামের স্তর এবং তাই, Fermi এর বিভিন্ন স্তরের একই। নিশ্চিত যে নিশ্চিত W 01।< W 02।, তারপর Fermi স্তর প্রথম ধাতু স্তর দ্বিতীয় (Fig। 9 একটি) চেয়ে বেশি হবে। মেটালের মধ্যে দখলকৃত ইলেকট্রনিক স্টেটগুলির বিরুদ্ধে এই ধাতুগুলির সাথে যোগাযোগের সাথে 1 টি ধাতব শক্তি মাত্রা রয়েছে 2. তাই, এই conductors এর সাথে যোগাযোগের ক্ষেত্রে, ইলেক্ট্রন প্রবাহ কন্ডাক্টর 1 এর কন্ডাক্টর থেকে ঘটে। এইগুলি ঘটে প্রথম কন্ডাক্টর, ইলেকট্রন হারানো, ইতিবাচকভাবে চার্জ করা হয়, এবং দ্বিতীয় কন্ডাক্টর অর্জন করা হয় অতিরিক্ত নেতিবাচক চার্জ, নেতিবাচক চার্জিং। চার্জিংয়ের কারণে, ধাতু 1 এর সমস্ত শক্তি মাত্রা স্থানান্তরিত হয়, এবং ধাতু 2 আপ হয়। অফসেটের মাত্রা এবং কন্ডাক্টর থেকে ইলেকট্রনের ট্রান্সিশন প্রক্রিয়াটি কন্ডাক্টর 2 থেকে কন্ডাক্টর 2 অব্যাহত থাকবে (Fig। 9 খ) পর্যন্ত চলবে। এই প্যাটার্ন থেকে দেখা যেতে পারে, ভারসাম্যপূর্ণ অবস্থা কন্ডাক্টরগুলির শূন্য মাত্রাগুলির মধ্যে সম্ভাব্য পার্থক্যের সাথে সম্পর্কিত 0 1 এবং 0 2:

.(11)

সম্ভাব্য পার্থক্য V k.r.p. বলা হয় যোগাযোগ পার্থক্য সম্ভাবনা। ফলস্বরূপ, সম্ভাব্যতার সাথে যোগাযোগের পার্থক্যটি পরিচালনাকারীদের সাথে যোগাযোগ করতে ইলেক্ট্রন প্রস্থান কাজের পার্থক্য দ্বারা নির্ধারিত হয়। ফলে ফলাফলটি ইলেক্ট্রনগুলির দ্বারা দুটি উপকরণের বিনিময়ের জন্য কোনও পদ্ধতির জন্য ন্যায্য, যা বাহ্যিক চেইন ইত্যাদির মাধ্যমে ভ্যাকুয়ামে থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের মাধ্যমে। একটি সেমিকন্ডাক্টরের সাথে মেটাল যোগাযোগ যখন অনুরূপ ফলাফল প্রাপ্ত হয়। ধাতু এবং semiconductors মধ্যে একটি যোগাযোগ সম্ভাব্য পার্থক্য আছে, যা দুটি ধাতু যোগাযোগের ক্ষেত্রে (আনুমানিক 1 বি) এর ক্ষেত্রে যেমন পরিমাপের একই ক্রম সম্পর্কে রয়েছে। পার্থক্যটি কেবলমাত্র যদি conductors মধ্যে, একটি সেমিকন্ডাক্টরের সাথে একটি মেটাল যোগাযোগের সাথে একটি মেটাল যোগাযোগের সাথে সম্ভাব্যতার সাথে সম্পূর্ণ যোগাযোগের পার্থক্যটি কেবলমাত্র একটি সেমিকন্ডাক্টরের সাথে একটি সেমিকন্ডাক্টরের উপর পড়ে থাকে, যা একটি সেমিকন্ডাক্টরের উপর পড়ে থাকে, যা একটি পর্যাপ্তভাবে বড় হয় স্তর সমৃদ্ধ বা ইলেক্ট্রন দ্বারা depleted গঠিত হয়। যদি এই স্তরটি ইলেক্ট্রনের সাথে হ্রাস পায় (যদি ক্ষেত্রে যখন সেমিকন্ডাক্টর এন -typ এর আউটপুটটি মেটাল আউটলেটের অপারেশনের চেয়ে কম থাকে) তবে যেমন একটি স্তর কল ব্লকিং এবং যেমন একটি রূপান্তর সোজা বৈশিষ্ট্য আছে। Semiconductor সঙ্গে ধাতু যোগাযোগ সংশোধন মধ্যে উদ্ভূত সম্ভাব্য বাধা, বলা হয় ব্যারিয়ার Schottky., এবং Diodes এটি চলমান - schottky Diodes..

Volt-Ampere. কম নির্গমন ঘনত্ব এ থার্মোমোথোগ্রাফির চরিত্রগত। প্রভাব Schottky

তাপ ফ্রেম এবং ডায়োড অ্যানোড (Fig। 5) এর মধ্যে পার্থক্য তৈরি করে ভি।যা ইলেকট্রনগুলিকে অ্যানোডে আন্দোলনকে বাধা দেয়, তারপরে তাদের মধ্যে কেবলমাত্র অ্যানোডে অ্যাক্সেস করা যেতে পারে, যা ক্যাথোড থেকে বেরিয়ে গেছে, যা অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে ইলেকট্রস্ট্যাটিক ক্ষেত্রের শক্তির চেয়ে কম নয়, IE. -ই। ভি।(ভি।< 0)। এর জন্য, থার্মোমোথোডোডে তাদের শক্তি কম হওয়া উচিত নয় W 0 -e।ভি।। তারপর, সূত্র প্রতিস্থাপন রিচার্ডসন-ডেজম্যান (10) W 0. উপরে W 0 -e।ভি।, আমরা thermoemission বর্তমান ঘনত্ব জন্য নিম্নলিখিত অভিব্যক্তি প্রাপ্ত:

,(12)

এখানে জে এস। - সম্পৃক্তি বর্তমান ঘনত্ব। লগারিদমিং এই অভিব্যক্তি

.(13)

Anode একটি ইতিবাচক সম্ভাব্য সঙ্গে, Anode উপর Thermocheod পতন ছেড়ে সব ইলেকট্রন। অতএব, চেইনটিতে বর্তমানটি পরিবর্তন করা উচিত নয়, সম্পৃক্ততার সমান বর্তমান থাকা উচিত। এভাবে, volt-Ampere. থার্মোমেটের চরিত্রগত (ওয়াহ) চিত্রিত হবে। 10 (বক্ররেখা একটি)।

এই ধরনের ভ্যাকটি কেবল অপেক্ষাকৃত ছোট নির্গমন ঘনত্ব এবং অ্যানোডের উচ্চ ইতিবাচক সম্ভাবনাগুলির সাথে পর্যবেক্ষণ করা হয়, যখন ইলেকট্রনের একটি উল্লেখযোগ্য পরিমাণ ইলেকট্রনের কাছে আসে না। থার্মোমোথোগ্রাফি এর ভোল্ট-অ্যাম্পস চরিত্রগত, বিভাগে বিবেচিত স্পেসিয়াল চার্জ বিবেচনা করে। 6।

আমরা ছোট নির্গমন ঘনত্ব সঙ্গে Wah আরেকটি গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্য নোট। Thermotalka যখন সঞ্চালিত হয় যে উপসংহার ভি।\u003d 0, ক্যাথোড এবং এনডো উপকরণগুলি আউটপুটের একই থার্মোডাইনামিক অপারেশন থাকা অবস্থায় শুধুমাত্র ক্ষেত্রেই বৈধ। যদি ক্যাথোডের কাজটি এবং অ্যানোডের কাজটি একে অপরের সমান নয় তবে অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে সম্ভাব্যতাগুলির সাথে যোগাযোগের পার্থক্য প্রদর্শিত হবে। এই ক্ষেত্রে, এমনকি একটি বহিরাগত বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের অনুপস্থিতিতে ( ভি।\u003d 0) সম্ভাব্যতার সাথে যোগাযোগের পার্থক্যের কারণে অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র রয়েছে। উদাহরণস্বরূপ, যদি W 0k।< W 0a। Anode ক্যাথোড নেতিবাচক আপেক্ষিক চার্জ করা হবে। অ্যানোডে যোগাযোগের পার্থক্যগুলির সম্ভাব্যতাগুলি ধ্বংস করতে, একটি ইতিবাচক স্থানচ্যুতি জমা দিতে হবে। অতএব volt-Ampere. ইতিবাচক সম্ভাবনার দিকের দিকের সাথে যোগাযোগের পার্থক্যের পরিমাপের পরিমাপে থার্মোটি চরিত্রগতভাবে স্থানান্তরিত হয় (চিত্র 10, কার্ভ বি)। বিপরীত অনুপাত সঙ্গে W 0k। এবং W 0a। Wah এর শিয়ার দিক বিপরীত (ফিগার মধ্যে বক্ররেখা 10)।

যখন স্যাচুরেশন বর্তমানের ঘনত্বের স্বাধীনতা সম্পর্কে উপসংহার ভি।\u003e 0 দৃঢ়ভাবে আদর্শ। রিয়েল-ওয়ার্ল্ড থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনে, বাড়তি সঙ্গে থার্মোইলেট্রনিক নির্গমন বর্তমান একটি সামান্য বৃদ্ধি আছে ভি। স্যাচুরেশন মোডে, যা সঙ্গে যুক্ত করা হয় প্রভাব Schottki (চিত্র 11)।

একটি বহিরাগত ত্বরান্বিত বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের কর্মের অধীনে সোলিড থেকে ইলেক্ট্রন আউটপুট অপারেশনে SCHOTTKY প্রভাব হ্রাস।

Schottki এর প্রভাব ব্যাখ্যা করার জন্য, আমরা স্ফটিকের পৃষ্ঠের কাছে ইলেক্ট্রনে অভিনয়কারী বাহিনীকে বিবেচনা করি। স্ফটিকের পৃষ্ঠের ইলেকট্রস্ট্যাটিক ইনডাকশন আইন অনুসারে, বিপরীত চিহ্নের পৃষ্ঠের চার্জগুলি প্ররোচিত হয়, যা পৃষ্ঠ স্ফটিক থেকে ইলেক্ট্রনের মিথস্ক্রিয়া নির্ধারণ করে। বৈদ্যুতিক চিত্রের পদ্ধতি অনুসারে, ইলেক্ট্রনের উপর রিয়েল পৃষ্ঠের চার্জগুলির প্রভাবটি কল্পিত কর্ম দ্বারা প্রতিস্থাপিত হয় পয়েন্ট ইতিবাচক চার্জ + ই।একটি ইলেক্ট্রন হিসাবে ক্রিস্টাল পৃষ্ঠ থেকে একই দূরত্বে অবস্থিত, কিন্তু পৃষ্ঠের বিপরীত দিক থেকে (Fig। 12)। তারপর, Coulon আইন অনুযায়ী, দুই পয়েন্ট চার্জ এর মিথস্ক্রিয়া শক্তি

,(14)

এখানে ε ওহে - বৈদ্যুতিক ধ্রুবক: এইচ। - ইলেক্ট্রনের এবং স্ফটিকের পৃষ্ঠের মধ্যে দূরত্ব।

বৈদ্যুতিক ইমেজ শক্তি ক্ষেত্রের সম্ভাব্য ইলেক্ট্রন শক্তি, যদি ভ্যাকুয়ামের শূন্য স্তর থেকে গণনা করা হয় তবে সমান

.(15)

একটি বহিরাগত accelerating বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের মধ্যে সম্ভাব্য ইলেক্ট্রন শক্তি ই।

সম্পূর্ণ সম্ভাব্য ইলেক্ট্রন শক্তি

.(17)

ক্রিস্টালের পৃষ্ঠের কাছাকাছি অবস্থিত মোট ইলেক্ট্রন শক্তির গ্রাফিক ফাউন্ডেশন চিত্রটি দেখানো হয়েছে। 13, যা স্পষ্টভাবে স্ফটিক থেকে ইলেক্ট্রন আউটলেট অপারেশন একটি হ্রাস দেখায়। সম্ভাব্য ইলেক্ট্রন এনার্জির মোট বক্ররেখা (চিত্র 13 এ সলিড বক্ররেখা) সর্বাধিক সময়ে সর্বাধিক পৌঁছে যায় এক্স এম।:

.(18)

এই বিন্দু বাইরের ক্ষেত্রের শক্তি দিয়ে 10 এর দূরত্বে পৃষ্ঠ থেকে। » 3× 10 6 ভি / সেমি।

সময়ে এইচ। এম। সম্ভাব্য বাধা হ্রাসের সমান মোট সম্ভাব্য শক্তি (এবং, ফলস্বরূপ, আউটপুট অপারেশনে হ্রাস),

.(19)

Schottki এর প্রভাবের ফলে, অ্যানোডে ইতিবাচক ভোল্টেজের সাথে তাপের বর্তমানটি Anodic ভোল্টেজ বৃদ্ধি করে বৃদ্ধি পায়। এই প্রভাবটি কেবলমাত্র কোনও ভ্যাকুয়ামে ইলেকট্রন নির্গমনের সময় প্রকাশ করা হয় না, তবে একটি মেটাল-সেমিকন্ডাক্টর বা মেটাল-ইলেট্রিকের মাধ্যমে তাদের সরানো হয়।

6. স্থানিক চার্জ দ্বারা ভ্যাকুয়াম সীমিত বর্তমান। আইন "তিন সেকেন্ড"

বর্তমান থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের বড় ঘনত্বের সাথে, ভোল্ট-অ্যামপেরের চরিত্রগত ক্যাথোড এবং অ্যানোডের মধ্যে উদ্ভূত একটি আশেপাশের নেতিবাচক চার্জগুলির একটি উল্লেখযোগ্য প্রভাব রয়েছে। এই বাল্ক নেতিবাচক চার্জ ক্যাথোড থেকে ক্যাথোড থেকে অ্যানোড ইলেক্ট্রনগুলিকে আটকাতে বাধা দেয়। সুতরাং, অ্যানোড বর্তমান ক্যাথোড থেকে ইলেক্ট্রন নির্গমনের চেয়ে কম হয়ে যায়। একটি ইতিবাচক সম্ভাব্য অ্যানোডে প্রয়োগ করা হলে, একটি ভলিউম চার্জ দ্বারা তৈরি ক্যাথোডের একটি অতিরিক্ত সম্ভাব্য বাধা হ্রাস পায় এবং অ্যানোড বর্তমান ক্রমবর্ধমান হয়। যেমন থার্মডি এর ভোল্ট-অ্যাম্পের চরিত্রগত উপর স্থানিক চার্জ প্রভাব এর উচ্চ মানের ছবি। তাত্ত্বিকভাবে, এই বিষয়টি 1913 সালে লংমুরের তদন্ত করা হয়েছিল।

অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে প্রয়োগ করা বাহ্যিক সম্ভাব্য পার্থক্য থেকে বহিরাগত সম্ভাব্য পার্থক্য থেকে ThermodyNode বর্তমানের উপর নির্ভরশীলতার একটি সংখ্যার সাধারণ অনুমানের অধীনে গণনা করা হয়, যা ক্ষেত্রের বন্টন এবং অ্যাকাউন্টিংয়ের সময় অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে ইলেকট্রনের সম্ভাব্য এবং ঘনত্ব স্থানিক চার্জ।

ধরুন যে ডায়োডের ইলেকট্রোড ফ্ল্যাট। নোড এবং ক্যাথোড মধ্যে একটি সংক্ষিপ্ত দূরত্ব সঙ্গে ডি। তারা অসীম বড় বিবেচনা করা যেতে পারে। কোঅর্ডিনেটের শুরুতে ক্যাথোড, এবং অক্ষের পৃষ্ঠায় স্থাপন করা হবে এক্স.আমরা এই পৃষ্ঠায় একটি উল্টোটিকুলারটি অ্যানোডের দিকে (চিত্র 14) পাঠাবো। ক্যাথিওড তাপমাত্রা ধ্রুবক এবং সমান সমর্থন করবে টি।। ইলেকট্রস্ট্যাটিক ক্ষেত্রের সম্ভাবনা জে। অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে স্থান বিদ্যমান, শুধুমাত্র একটি সমন্বয় একটি ফাংশন হবে এইচ।। তিনি সন্তুষ্ট করতে হবে poisson সমীকরণ

,(20)

এখানে আর - বাল্ক ঘনত্ব চার্জ; এন। - ইলেক্ট্রন ঘনত্ব; জে। , আর এবং এন। সমন্বয় ফাংশন হয় এইচ।.

ক্যাথোড এবং অ্যানোডের মধ্যে বর্তমান ঘনত্ব বিবেচনা করে

এবং ইলেক্ট্রনের গতি ভি। সমীকরণ থেকে নির্ধারিত করা যাবে

কোথায় এম। - ইলেক্ট্রন ভর, সমীকরণ (20) মন রূপান্তর করা যেতে পারে

, .(21)

এই সমীকরণ সীমানা অবস্থার সঙ্গে সম্পূরক করা আবশ্যক।

এই সীমানা শর্তাবলী অনুসরণ করা হয় যে ক্যাথোড পৃষ্ঠের কাছাকাছি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের সম্ভাব্য এবং টান শূন্য প্রয়োগ করা উচিত। সমীকরণ উভয় অংশ (21) উপর গুণমান ডি।জে। / DX।, পাওয়া

.(23)

যে বিবেচনা

(24A)

এবং , (24 বি)

আমরা লিখুন (23) হিসাবে

.(25)

এখন আপনি সমীকরণ (25) উভয় অংশ সংহত করতে পারেন এইচ। 0 থেকে মান পর্যন্ত এক্স.যা সম্ভাব্য সমান জে। । তারপর, সীমানা শর্ত বিবেচনা (22) আমরা পেতে

উভয় অংশ (27) থেকে ইন্টিগ্রেটেড এইচ।=0, জে। \u003d 0 হতে হবে এইচ।=1, জে।= ভি এ।, পাওয়া

.(28)

সমানতা উভয় অংশ (28) একটি বর্গক্ষেত্র স্থাপন এবং বর্তমান ঘনত্ব প্রকাশ জে।এর মধ্যে কিন্তু অনুযায়ী (21), আমরা পেতে

.(30)

সূত্র (২9) বলা হয় "তিন সেকেন্ডের আইন" লংমুর বলা হয়।

এই আইনটি নির্বিচারে ফর্মের ইলেক্ট্রোডের জন্য ন্যায্য। সংখ্যাসূচক সহগমতার জন্য অভিব্যক্তিটি ইলেক্ট্রোডের আকারের উপর নির্ভর করে। উপরে প্রাপ্ত সূত্রগুলি আমাদের সম্ভাব্য বিতরণ, বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি এবং ক্যাথোড এবং অ্যানোডের মধ্যে স্থানটিতে ইলেকট্রনের ঘনত্ব গণনা করার অনুমতি দেয়। অভিব্যক্তি একীকরণ (26) থেকে শুরু এইচ।\u003d 0 মান যখন সম্ভাব্য সমান হয় জে। , অনুপাত বাড়ে

সেগুলো. সম্ভাব্য ক্যাথোড থেকে দূরত্ব অনুপাতে পরিবর্তিত হয় এইচ। ডিগ্রী দ্বারা 4/3। অমৌলিক ডি।জে।/ dX. ইলেক্ট্রোডের মধ্যে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র শক্তি চরিত্র। (26) অনুযায়ী, বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি পরিমাপ ই। ~এইচ। উনিশ। অবশেষে, ইলেকট্রনের ঘনত্ব

(32)

এবং, অনুযায়ী (31) এন।(এক্স.)~ (1/এক্স.) 2/9 .

নির্ভরতা. জে। (এইচ। ), ই।(এইচ। ) আমি এন।(এইচ। ) চিত্র দেখানো হয়। 15. যদি এইচ। → 0, ঘনত্ব অনন্ত দিকে rushes। এটি ক্যাথোডে ইলেকট্রনের তাপমাত্রা বেগগুলি অবহেলার পরিণতি। একটি বাস্তব পরিস্থিতি, থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের সাথে, ইলেকট্রনগুলি ক্যাথোডটিকে শূন্য গতির সাথে নয়, তবে কিছু চূড়ান্ত নির্গমন হারের সাথে। এই ক্ষেত্রে, ক্যাথোডের কাছে একটি ছোট বিপরীত বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র থাকলেও অ্যানোড বর্তমান বিদ্যমান থাকবে। ফলস্বরূপ, চার্জের ভলিউমেট্রিক ঘনত্ব এমন মানগুলিতে পরিবর্তিত হতে পারে যেখানে ক্যাথোডের কাছাকাছি সম্ভাব্য নেতিবাচক মানের (Fig। 16) হ্রাস পায়। অ্যানোড ভোল্টেজে বৃদ্ধি সহ, সর্বনিম্ন সম্ভাব্য হ্রাস পায় এবং ক্যাথোডের কাছে পৌঁছায় (ডুমুর 1 এবং ২ টি রেখাচিত্র 1 এবং ২)। অ্যানোডের পর্যাপ্ত বৃহৎ ভোল্টেজের সাথে, সম্ভাব্য সর্বনিম্নটি \u200b\u200bক্যাথোডের সাথে একত্রিত হয়, ক্যাথোডের ক্ষেত্রের শক্তিটি শূন্য এবং নির্ভরতার সমান হয়ে ওঠে জে। (এইচ। ) পন্থা (২9), যার মাধ্যমে ইলেকট্রনের প্রাথমিক বেগগুলি বিবেচনা না করেই ডিজাইন করা হয়েছে (চিত্রের মধ্যে বক্ররেখা 3)। বড় Anode চাপ দিয়ে, স্থানিক চার্জ প্রায় সম্পূর্ণরূপে শোষিত এবং ক্যাথোড এবং অ্যানোডের মধ্যে সম্ভাব্য রৈখিক আইন অনুসারে (বক্র 4, চিত্র 16) অনুসারে পরিবর্তিত হয়।

সুতরাং, ইন্টারলেকট্রোড স্পেসে সম্ভাব্যতার বন্টন, যখন ইলেকট্রনের প্রাথমিক গতিবেগকে বিবেচনা করে, "তিন সেকেন্ডের" আইনটির উপসংহারে আদর্শায়িত মডেলের উপর ভিত্তি করে এটি উল্লেখযোগ্যভাবে ভিন্ন। এই অ্যানোড বর্তমান ঘনত্ব একটি পরিবর্তন এবং নির্ভরতা বাড়ে। গণনা, চিত্রের প্রাথমিক গতিতে বিবেচনার ভিত্তিতে, চিত্রের সম্ভাব্যতার বন্টনের ক্ষেত্রে। 17, এবং নলাকার ইলেক্ট্রোডের জন্য তাপমাত্রা নির্গমনের মোট বর্তমানের জন্য নিম্নলিখিত নির্ভরতা দেয় আমি (আমি=জেএস।কোথায় এস - তাপমাত্রা ক্রস বিভাগীয় এলাকা):

.(33)

পরামিতি এক্স এম। এবং ভি এম।নির্ভরতা ধরনের দ্বারা সংজ্ঞায়িত জে। (এইচ। ), অর্থ ডুমুর থেকে স্পষ্ট। 17. পরামিতি এইচ। এম। ক্যাথোড থেকে দূরত্বের সমান, যা সম্ভাব্য তার সর্বনিম্ন মান \u003d ভি এম।। ফ্যাক্টর সি।(এক্স এম।), ছাড়াও এক্স এম।Radii ক্যাথোড এবং অ্যানোড উপর নির্ভর করে। সমীকরণ (33) অ্যানোড ভোল্টেজে ছোট পরিবর্তনের জন্য বৈধ, কারণ এবং এইচ। এম। এবং ভি এম।তবে, এটি উপরে আলোচনা করা হয়েছিল, এনডো ভোল্টেজের উপর নির্ভর করে।

সুতরাং, "তিন সেকেন্ড" আইন একটি সার্বজনীন প্রকৃতি নেই, এটি শুধুমাত্র একটি অপেক্ষাকৃত সংকীর্ণ ভোল্টেজ ব্যবধান এবং স্রোতগুলিতে বৈধ। তবে, এটি বর্তমান শক্তি এবং একটি ইলেকট্রনিক ডিভাইস ভোল্টেজের মধ্যে একটি অ-রৈখিক অনুপাতের একটি দৃশ্যমান উদাহরণ। ভোল্ট-অ্যামপেরের চরিত্রগত অকার্যকরতা হলিড-স্টেট ইলেকট্রনিক্সের উপাদানগুলি সহ রেডিও ও বৈদ্যুতিক সার্কিটগুলির অনেক উপাদানগুলির সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ বৈশিষ্ট্য।

অংশ 2. পরীক্ষাগার কাজ

7. Thermoelectronic নির্গমন অধ্যয়নরত জন্য পরীক্ষামূলক ইনস্টলেশন

ল্যাবরেটরি ওয়ার্ক নং 1 এবং ২ টি একক পরীক্ষাগার স্থাপনের উপর সঞ্চালিত হয়, যা একটি সার্বজনীন পরীক্ষাগার স্ট্যান্ডের ভিত্তিতে বাস্তবায়িত হয়। ইনস্টলেশন প্রকল্প চিত্র উপস্থাপন করা হয়। 18. পরিমাপ বিভাগে সরাসরি বা পরোক্ষ গ্যাসের ক্যাথোডের সাথে একটি ভ্যাকুয়াম ডায়োড ইমেল রয়েছে। পরিমাপ বিভাগের সামনের প্যানেলে, "গ্লৌ", নোড "অ্যানোড" এবং ক্যাথোড "ক্যাথোড" এর পরিচিতিগুলি প্রদর্শিত হয়েছিল। তাপ উৎসটি ডিসি টাইপ B5-44A এর স্থিতিশীল উৎস। আইকন আমি ডায়াগ্রামে ইঙ্গিত করে যে উৎসটি বর্তমান স্থিতিশীল মোডে কাজ করে। ডিসি উৎসের সাথে কাজ করার আদেশ দিয়ে আপনি এই যন্ত্রের জন্য প্রযুক্তিগত বিবরণ এবং নির্দেশাবলী খুঁজে পেতে পারেন। অনুরূপ বিবরণ পরীক্ষাগার কাজ ব্যবহৃত সব বৈদ্যুতিক যন্ত্র জন্য উপলব্ধ। নোড চেইনটিতে একটি স্থিতিশীল ডিসি উৎস B5-45A এবং একটি সর্বজনীন ডিজিটাল ভোল্টমিটার B7-21A অন্তর্ভুক্ত রয়েছে, যা থার্মডি এর অ্যানোড বর্তমানটি পরিমাপ করতে ডিসি পরিমাপ মোডে ব্যবহৃত। এনডো ভোল্টেজ এবং ক্যাথোড বর্তমান বর্তমান বর্তমান বর্তমান, আপনি পাওয়ার সাপ্লাই, যন্ত্রপাতিগুলি বা ক্যাথোডের আরও সঠিক পরিমাপের সাথে যোগাযোগ করতে পারেন, PB7-32 এর একটি অতিরিক্ত ভোল্টমিটার।

পরিমাপ বিভাগে, বিভিন্ন অপারেটিং ক্যাথোড গ্লো দিয়ে ভ্যাকুয়াম ডায়োডগুলি অবস্থিত হওয়া উচিত। কঠোর পরিশ্রমের জন্য, ডায়োডটি একটি স্থানিক চার্জ সহ নোড বর্তমানের সীমাবদ্ধতার মোডে কাজ করে। এই মোডটি পরীক্ষাগার কাজ নম্বর 1 সঞ্চালনের প্রয়োজন। ল্যাবরেটরি ওয়ার্ক নম্বর 2 হ্রাস গ্যাস স্রোত অধীনে সঞ্চালিত হয়, যখন স্থানিক চার্জ প্রভাব অসম্পূর্ণ। প্রবাহ বর্তমান সেটিং যখন বিশেষ করে মনোযোগী করা উচিত, কারণ এই ইলেক্ট্রন ল্যাম্পের জন্য তার নামমাত্র মূল্যের উপরে প্রবাহটি অতিক্রম করে ক্যাথোডের ফিলামেন্টের বার্নআউট এবং ডায়োডের আউটপুটের দিকে পরিচালিত করে। অতএব, কাজের জন্য প্রস্তুতি করার সময়, আপনি অবশ্যই একজন শিক্ষক বা প্রকৌশলীকে অবশ্যই অপারেশনটিতে ব্যবহৃত ডায়োডগুলিতে ব্যবহৃত অপারেশনটির অপারেটিং বর্তমানের মূল্যের সাথে চেক করবেন, ওয়ার্কবুকের মধ্যে তথ্যটি রেকর্ড করা উচিত এবং একটি পরীক্ষাগার কাজ অঙ্কন করার সময় ব্যবহার করা উচিত রিপোর্ট।

8. ল্যাবরেটরি ওয়ার্ক নম্বর 1। স্পেসিয়াল চার্জ প্রভাব অধ্যয়ন ভোল্ট-এএমপি থার্মোট্রোপের চরিত্রগত

উদ্দেশ্য: থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের পরীক্ষামূলক গবেষণায় Anodic ভোল্টেজের উপর নির্ভরশীলতা, "তিন সেকেন্ডের" আইনের ডিগ্রী নির্দেশক নির্ধারণ করা।

Volt-Ampere. Thermoelectronic নির্গমন বর্তমান চরিত্রগত "তিন সেকেন্ড" আইন দ্বারা বর্ণিত হয় (বিভাগ 6 দেখুন)। ডায়োডের অপারেশনের এই পদ্ধতিটি পর্যাপ্ত বড় ক্যাথোড তাপ স্রোতগুলিতে ঘটে। সাধারণত, ভ্যাকুয়াম ডায়োডের বর্তমানের বর্তমানের বর্তমানের দিকে, একটি স্থানিক চার্জ সীমিত।

এই পরীক্ষাগার কাজ সম্পাদনের জন্য পরীক্ষামূলক ইনস্টলেশন বিভাগে বর্ণিত হয়। 7. অপারেশনে এটি রেটযুক্ত তাপের বর্তমানের ডায়োডের ভোল্ট-অ্যাম্পের চরিত্রগত অপসারণ করা প্রয়োজন। ব্যবহৃত ইলেকট্রনিক ল্যাম্পের স্কেলে অপারেটিং বর্তমানের মান শিক্ষক বা প্রকৌশলী থেকে নেওয়া উচিত এবং ওয়ার্কবুকটি লিখতে হবে।

কাজ সম্পাদন করার পদ্ধতি

1. পরীক্ষামূলক ইনস্টলেশনের অপারেশন করার জন্য প্রয়োজনীয় ডিভাইসগুলির সাথে কাজ করার বর্ণনা এবং ক্রমের সাথে পরিচিত হন। চিত্র 18 অনুসারে এই প্রকল্পটি সংগ্রহ করুন। প্রকৌশলী বা শিক্ষকের সাথে সংগৃহীত সার্কিটের সঠিকতা পরীক্ষা করার পরে ইনস্টলেশনটি কেবল নেটওয়ার্কে অন্তর্ভুক্ত করা যেতে পারে।

2. ক্যাথোড বর্তমানের পাওয়ার সাপ্লাই অন্তর্ভুক্ত করুন এবং প্রয়োজনীয় প্রবাহ বর্তমান সেট করুন। যেহেতু প্রবাহ বর্তমান পরিবর্তনের পরে, ফিলামেন্টের তাপমাত্রা এবং প্রতিরোধের পরিবর্তনগুলি পরিবর্তন করে, যার ফলে, প্রবাহ বর্তমানের পরিবর্তনের দিকে পরিচালিত করে, ক্রমাগত আনুমানিক পদ্ধতি দ্বারা সমন্বয় করা আবশ্যক। সমন্বয়ের শেষে, তাপমাত্রা এবং ক্যাথোড তাপমাত্রা স্থিতিশীলতার জন্য প্রায় 5 মিনিটের জন্য অপেক্ষা করা আবশ্যক।

3. নোড চেইনটিতে একটি ধ্রুবক ভোল্টেজ উৎস অন্তর্ভুক্ত করুন এবং অ্যানোডের ভোল্টেজটি পরিবর্তন করুন, পয়েন্টগুলিতে ভোল্ট-অ্যাম্পের চরিত্রগতটি সরান। ভোল্ট-অ্যাম্পের চরিত্রগত 0 ... ২5 ভি, প্রতি 0.5 ... 1 ভি।

আমি একটি.(ভি এ।), কোথায় আমি একটি. - Anode বর্তমান, ভি এ। - Anodic টান।

5. যদি অ্যানোড ভোল্টেজে পরিবর্তনের পরিসীমাটি ছোট হয় তবে মানগুলি এক্স এম।, সি।(এক্স, এন।) আমি ভি এম।সূত্র অন্তর্ভুক্ত (33) স্থায়ী করা যেতে পারে। বড় সঙ্গে ভি এ। মূল্য ভি এম। আপনি অবহেলা করতে পারেন। সূত্রের ফলস্বরূপ (33) এর ফলে এটি ফর্মটি রূপান্তরিত হয় (তাপমাত্রা ঘনত্বের ঘনত্ব থেকে রূপান্তর করার পরে জে। তার পূর্ণ অর্থ আমি)

6. সূত্র থেকে (34) মান নির্ধারণ করতে থেকে. একটি ভোল্ট-আম্পের চরিত্রগত উপর Anodic ভোল্টেজ তিনটি সর্বোচ্চ মান জন্য। গড় গাণিতিক মান গণনা। সূত্র (33) এই মানটি প্রতিস্থাপন, মান নির্ধারণ করুন ভি এম। অ্যানোডে তিনটি ন্যূনতম ভোল্টেজের মূল্যের জন্য এবং গড় গাণিতিক মান গণনা করুন ভি এম।.

7. মান সুবিধা গ্রহণ ভি এম। , এলএন নির্ভরতা একটি গ্রাফ তৈরি করুন আমি একটি. এলএন থেকে ( ভি এ।+|ভি এম।|)। ডিগ্রী এর নির্দেশক, এই সময়সূচী কোণ এর টানেন্ট নির্ধারণ করুন আমি একটি.(ভি + ভি এম।)। এটি 1.5 কাছাকাছি হতে হবে।

8. কাজ একটি রিপোর্ট রাখুন।

রিপোর্ট প্রয়োজনীয়তা

5. কাজের জন্য উপসংহার।

নিয়ন্ত্রণ প্রশ্ন

1. থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের ঘটনাটি কী বলা হয়? ইলেক্ট্রন আউটপুট অপারেশন অনুমতি। থার্মোডাইনামিক এবং বহিরাগত প্রস্থান কাজ মধ্যে পার্থক্য কি?

2. কঠিন শরীরের সীমান্তে সম্ভাব্য বাধাগুলির কারণগুলি ব্যাখ্যা করুন - ভ্যাকুয়াম।

3. ব্যাখ্যা করুন, ধাতু দ্বারা ইলেকট্রন ডিস্ট্রিবিউশন বক্ররেখা, ধাতু থেকে ইলেক্ট্রনগুলির তাপমাত্রা দ্বারা ইলেক্ট্রন বন্টনের উপর ভিত্তি করে ব্যাখ্যা করুন।

4. Thermoelectronic বর্তমান কি অবস্থার অধীনে? আমি কিভাবে Thermoelectronic বর্তমান পালন করতে পারেন? কিভাবে সংযুক্ত বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র থেকে thermody এর বর্তমান নির্ভর করে?

5. আইন প্রণয়ন রিচার্ডসন-ডেজম্যান

6. তাপের ভোল্ট-অ্যাম্পের চরিত্রগতের উপর একটি ভলিউম নেতিবাচক চার্জ প্রভাবের গুণগত চিত্রটি ব্যাখ্যা করুন। আইনটি "তিন সেকেন্ডে" ল্যাংমুরের শব্দ।

স্পেসিয়াল চার্জ দ্বারা সীমিত স্রোত এ ক্যাথোড এবং অ্যানোডের মধ্যে স্পেসে সম্ভাব্য, বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের শক্তি এবং বৈদ্যুতিক ঘনত্বের বিতরণ কী?

8. অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে ভোল্টেজ থেকে থার্মোপার বর্তমানের নির্ভরতা কী, স্পেসিয়াল চার্জ এবং প্রাথমিক ইলেক্ট্রন গতিতে বিবেচনা করা হয়? এই নির্ভরতা সংজ্ঞায়িত পরামিতি এর অর্থ ব্যাখ্যা করুন;

9. Thermoelectronic নির্গমন অধ্যয়ন পরীক্ষামূলক ইনস্টলেশন প্রকল্প ব্যাখ্যা করুন। প্রকল্পের পৃথক উপাদানের উদ্দেশ্য ব্যাখ্যা করুন।

10. "তিন সেকেন্ড" আইনটিতে সূচকটির পরীক্ষামূলক সংকল্পের পদ্ধতিটি ব্যাখ্যা করুন।

9. ল্যাবরেটরি কাজ নম্বর 2। কম নির্গমন বর্তমান ঘনত্ব এ Thermoelectronic নির্গমন অধ্যয়ন

কাজের উদ্দেশ্য: একটি ছোট ক্যাথোড তাপের সাথে তাপের ভোল্ট-অ্যাম্পিয়ার বৈশিষ্ট্যগুলির গবেষণা। ক্যাথোড এবং অ্যানোডের মধ্যে যোগাযোগের সম্ভাব্যতাগুলির পরীক্ষামূলক ফলাফল থেকে দৃঢ়সংকল্প, ক্যাথোডের তাপমাত্রা।

ছোট তাপ ঘনত্ব সঙ্গে volt-Ampere. বৈশিষ্ট্যটি সেই রূপান্তরের একটি চরিত্রগত দৃশ্য রয়েছে, যার সাথে ক্যাথোড এবং অ্যানোডের মধ্যে যোগাযোগের সম্ভাব্য পার্থক্য (Fig। 10) এর সাথে যোগাযোগের সম্ভাব্য পার্থক্যের সাথে সংশ্লিষ্ট। নিম্নরূপ ক্যাথিড তাপমাত্রা সংজ্ঞায়িত করা যেতে পারে। আমরা সমীকরণ (12) তাপমাত্রা ঘনত্বের ঘনত্ব থেকে কম বর্তমান ঘনত্বের থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের ভোল্ট-অ্যাম্পিয়ার বৈশিষ্ট্যগুলি বর্ণনা করে জে। তার পূর্ণ অর্থ আমি(জে।=আমি /এসকোথায় এস - তাপমাত্রা ক্রস বিভাগীয় এলাকা)। তারপর আমরা পেতে

কোথায় আমি এস এস। - সম্পৃক্তি বর্তমান।

লগারিদমিং (35), আমাদের আছে

.(36)

পোস্টলোনে, সমীকরণ (36) সেক্ষেত্রে ভোল্ট-অ্যামপিয়ার চরিত্রগতটিকে প্রফেসরির বিন্দুতে বামদিকে, তারপর ক্যাথোডের তাপমাত্রা নির্ধারণ করার জন্য, এটি অ্যানডিক স্রোতের সাথে এই অঞ্চলে কোনও দুটি পয়েন্ট নিতে হবে । আমি একটি 1।, আমি একটি 2। এবং Anode চাপ আপনি একটি 1।, আপনি একটি 2। যথাক্রমে। তারপর, সমীকরণ অনুযায়ী (36),

এখানে থেকে ক্যাথোডের তাপমাত্রা আমরা একটি কাজ সূত্র পেতে

.(37)

কাজ সম্পাদন করার পদ্ধতি

পরীক্ষাগার কাজ সম্পাদন করতে এটি প্রয়োজনীয়:

1. পরীক্ষামূলক ইনস্টলেশনের অপারেশন করার জন্য প্রয়োজনীয় ডিভাইসগুলির সাথে কাজ করার বর্ণনা এবং ক্রমের সাথে পরিচিত হন। চিত্র অনুযায়ী প্রকল্পটি সংগ্রহ করুন। 18. প্রকৌশলী বা শিক্ষকের সাথে সংগৃহীত পরিকল্পনার সঠিকতা পরীক্ষা করার পরে কেবলমাত্র ইনস্টলেশনটি নেটওয়ার্কে অন্তর্ভুক্ত করা যেতে পারে।

2. ক্যাথোড বর্তমানের পাওয়ার সাপ্লাই উৎস সক্ষম করুন এবং প্রয়োজনীয় প্রবাহ বর্তমান ইনস্টল করুন। বর্তমান সেট করার পরে, প্রায় 5 মিনিট অপেক্ষা করতে হবে। তাই তাপ এবং ক্যাথোড তাপমাত্রা স্থিতিশীল হয়।

3. নোড চেইনটিতে একটি ধ্রুবক ভোল্টেজ উৎস অন্তর্ভুক্ত করুন এবং অ্যানোডের ভোল্টেজটি পরিবর্তন করুন, পয়েন্টগুলিতে ভোল্ট-অ্যাম্পের চরিত্রগতটি সরান। ভোল্ট-এএমপি চরিত্রগত 0 এর পরিসীমা মুছে ফেলা হয় ... 5 ভি। প্রতি 0.05 ... 0.2 ভি।

4. পরিমাপ ফলাফল LN কোঅর্ডিনেটস গ্রাফ জমা আমি একটি.(ভি এ।), কোথায় আমি একটি. - Anode বর্তমান, ভি এ। - Anodic টান। যেহেতু এই কাজে, সম্ভাব্যতাগুলির সাথে যোগাযোগের পার্থক্য গ্রাফিকাল পদ্ধতিতে নির্ধারিত হয়, অনুভূমিক অক্ষের স্কেলটি এমনভাবে নির্বাচিত হওয়া উচিত যে নির্ধারণের নির্ভুলতা V k.r.p. 0.1 ভি এর চেয়ে কম ছিল না।

5. ভোল্ট-অ্যাম্পের বৈশিষ্ট্যগুলির উপনিবেশের বিন্দুতে, নোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে সম্ভাব্যতাগুলির মধ্যে যোগাযোগের পার্থক্য নির্ধারণ করুন।

6. ভোল্ট-অ্যাম্পস বৈশিষ্ট্যের বামপন্থী রৈখিক অংশে তিনটি জোড়া পয়েন্টের জন্য ক্যাথোড তাপমাত্রা নির্ধারণ করুন। ক্যাথিড তাপমাত্রা সূত্র দ্বারা গণনা করা উচিত (37)। এই তথ্য থেকে গড় তাপমাত্রা মান গণনা।

7. কাজ একটি রিপোর্ট রাখুন।

রিপোর্ট প্রয়োজনীয়তা

প্রতিবেদনটি একটি স্ট্যান্ডার্ড এ 4 কাগজ শীট উপর টানা হয় এবং থাকতে হবে:

1. তত্ত্ব উপর মৌলিক তথ্য।

2. পরীক্ষামূলক ইনস্টলেশন প্রকল্প এবং এর সংক্ষিপ্ত বিবরণ।

3. পরিমাপ এবং গণনা।

4. প্রাপ্ত পরীক্ষামূলক ফলাফল বিশ্লেষণ।

5. কাজের জন্য উপসংহার।

নিয়ন্ত্রণ প্রশ্ন

1. ইলেকট্রন নির্গমন ধরনের তালিকা। ইলেকট্রনিক নির্গমন প্রতিটি ফর্ম ইলেকট্রন মুক্তি কারণ কি?

2. Thermoelectronic নির্গমন ঘটনা ব্যাখ্যা করুন। একটি কঠিন থেকে একটি ইলেক্ট্রন আউটপুট সংজ্ঞা দিতে। আমি কিভাবে একটি কঠিন শরীরের সীমান্তে একটি সম্ভাব্য বাধা অস্তিত্ব ব্যাখ্যা করতে পারি - ভ্যাকুয়াম?

3. ব্যাখ্যা করুন, ধাতু দ্বারা ইলেকট্রন ডিস্ট্রিবিউশন বক্ররেখা, ধাতু থেকে ইলেক্ট্রনগুলির তাপমাত্রা দ্বারা ইলেক্ট্রন বন্টনের উপর ভিত্তি করে ব্যাখ্যা করুন।

4. আইন প্রণয়ন রিচার্ডসন-ডেজম্যান। এই আইনের মাত্রা শারীরিক অর্থ ব্যাখ্যা করুন।

5. ছোট নির্গমন বর্তমান ঘনত্বের থার্মোমোথোগ্রাফির ভোল্ট-অ্যাম্পের বৈশিষ্ট্যগুলির বৈশিষ্ট্য কী? ক্যাথোড এবং অ্যানোডের মধ্যে সম্ভাব্যতাগুলির মধ্যে যোগাযোগের পার্থক্য কীভাবে এটি প্রভাবিত করে?

6. Schottki এর প্রভাব কি? কিভাবে এই প্রভাব ব্যাখ্যা করা হয়?

7. বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের প্রভাবের অধীনে ইলেকট্রনের জন্য সম্ভাব্য বাধা হ্রাস করুন।

8. এই পরীক্ষাগার কাজে ক্যাথোড তাপমাত্রা নির্ধারণ করবে কিভাবে?

9. এই কাজে যোগাযোগের সম্ভাব্য পার্থক্য নির্ধারণ করার পদ্ধতিটি ব্যাখ্যা করুন।

10. পরীক্ষাগার ইনস্টলেশনের পৃথক উপাদানের প্রকল্প এবং উদ্দেশ্য ব্যাখ্যা করুন।

শক্তি ইলেকট্রনগুলিতে কীভাবে যোগাযোগ করা হয় তার উপর নির্ভর করে, ইলেকট্রনিক নির্গমনের ধরনগুলি পার্থক্য করে। যদি তার তাপমাত্রা বাড়ানোর সাথে শরীরের তাপ শক্তির কারণে ইলেক্ট্রনগুলি শক্তি পায় তবে আমরা থার্মোলেট্রনিক নির্গমন সম্পর্কে কথা বলতে পারি। থার্মোইলেট্রনিক নির্গমন পর্যবেক্ষণের জন্য, আপনি দুটি ইলেক্ট্রোড ধারণকারী একটি উদ্বায়ী বাতি ব্যবহার করতে পারেন: একটি ভাস্বর ক্যাথোড এবং একটি ঠান্ডা ইলেক্ট্রোড থার্মোলেট্রোন সংগ্রহ করে - এনোড। যেমন আলো ভ্যাকুয়াম diodes বলা হয়। ব্যাটারিটির ইতিবাচক মেরুটি অ্যানোডের সাথে যুক্ত হলে এই চেইনটিতে বর্তমানটি প্রদর্শিত হয় এবং নেতিবাচক-ক্যাথোডের সাথে। এই ক্যাথোড নেতিবাচক কণা, ইলেকট্রন খায় নিশ্চিত করে। ডায়োডে থার্মোইলেট্রনিক বর্তমান শক্তিটি আপেক্ষিক ক্যাথোড অ্যানোডের সম্ভাব্যতার মূল্যের উপর নির্ভর করে। অ্যানোড ভোল্টেজ থেকে ডায়োডে বর্তমান প্রবাহের নির্ভরতা চিত্রিত বক্ররেখাটি একটি ভোল্ট-অ্যাম্পের চরিত্রগত বলা হয়। যখন অ্যানোড সম্ভাব্য শূন্য হয়, বর্তমানটি ছোট, এটি শুধুমাত্র দ্রুততম থার্মোলেট্রনগুলি দ্বারা নির্ধারিত হয় যা অ্যানোড পৌঁছানোর সক্ষম। অ্যানোডের ইতিবাচক সম্ভাব্যতা বৃদ্ধির সাথে সাথে, বর্তমান শক্তি বৃদ্ধি পায় এবং তারপর সম্পৃক্ততা অর্জন করে, অর্থাৎ। প্রায় Anode ভোল্টেজ উপর নির্ভর করে প্রায় বন্ধ করে দেয়। ক্যাথোডের তাপমাত্রায় বৃদ্ধি দিয়ে, বর্তমান বৃদ্ধিের মান যা সম্পৃক্ততা অর্জন করা হয়। একই সময়ে, এডোড ভোল্টেজ যা সম্পৃক্তি বর্তমান সেট করা হয়। সুতরাং, ডায়োডের ভোল্ট-অ্যাম্পস চরিত্রগত অলাভজনক বলে মনে হয়, অর্থাৎ। ওহমা আইন সঞ্চালিত হয় না। থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের সাথে এটি ব্যাখ্যা করা হয়েছে যে, ক্যাথোড পৃষ্ঠটিতে ইলেকট্রনের একটি বড় ঘনত্ব তৈরি করা হয়। তারা একটি সাধারণ নেতিবাচক চার্জ তৈরি করে, এবং কম গতিতে উড়ন্ত ইলেকট্রন এটি স্লিপ করতে পারে না। এনডো ভোল্টেজে বৃদ্ধি দিয়ে, স্থানিক চার্জ ক্লাউডে ইলেকট্রনের ঘনত্ব হ্রাস পায়। অতএব, স্থানিক চার্জের নিরোধক প্রভাবটি কম, এবং অ্যানোড বর্তমানটি অ্যানোড ভোল্টেজের উপর সরাসরি নির্ভরতার চেয়ে দ্রুত বৃদ্ধি পাচ্ছে। Anode ভোল্টেজ বৃদ্ধি হিসাবে, ক্যাথোড আউট উড়ন্ত আরো এবং আরো ইলেকট্রন অ্যানোডে মামলা করা হয়। একটি নির্দিষ্ট মান দিয়ে, ইলেকট্রনগুলি হ'ল ক্যাথোড থেকে সময় ইউনিট থেকে একটি অ্যানোড পৌঁছায়। সম্পৃক্ততা অর্জনের জন্য Anodic ভোল্টেজের আরও বৃদ্ধি অ্যানোড বর্তমানের শক্তি বৃদ্ধি করতে পারে না। এই ক্যাথোড তাপমাত্রায় সম্ভাব্য সর্বাধিক তাপবিদ্যুৎ বর্তমান, একটি সম্পৃক্তি বর্তমান বলা হয়। তাপমাত্রা উত্থাপিত হয়, ধাতু বৃদ্ধি মধ্যে বিশৃঙ্খলার ইলেক্ট্রন আন্দোলনের হার। এই ক্ষেত্রে, ধাতু মেটাল ছেড়ে যাওয়ার জন্য সক্ষম ইলেকট্রনের সংখ্যা তীব্রভাবে বৃদ্ধি পায়। স্যাচুরেশন বর্তমান ঘনত্ব, আই। ক্যাথোডের পৃষ্ঠের প্রতিটি ইউনিটের প্রতিটি ইউনিটে স্যাচুরেশন বর্তমানের শক্তিটি রিচার্ডসন-ডায়ানমান সূত্র অনুসারে গণনা করা হয়: যেখানে - স্থায়ী নির্গমন, কে-কনস্ট্যান্ট বোল্টজম্যান, \u003d 1.38 10-23 জে / কে। সম্পৃক্ততার ঘনত্বের বর্তমানের ঘনত্ব ক্যাথোডের নির্গমনের ক্ষমতাটিকে চিহ্নিত করে, যা ক্যাথোড এবং এর তাপমাত্রার প্রকৃতির উপর নির্ভর করে।

থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের ঘটনাটির অধ্যয়ন

কাজের উদ্দেশ্য:থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের ঘটনাটি অধ্যয়ন করার জন্য, পরীক্ষামূলকভাবে এই ঘটনাক্রমে শারীরিক ধ্রুবকগুলির ভিত্তিতে তদন্ত করুন এবং কম্পিউটার প্রক্রিয়াকরণের ফলাফলগুলি পরিচালনা করুন।

তত্ত্ব উপাদান

Thermoelectronic নির্গমন।

থার্মোইলেট্রনিক নির্গমন ঘটনাটি উষ্ণ শক্তির পৃষ্ঠ থেকে ইলেকট্রনগুলি নির্গত করা হয়। সহজ ক্ষেত্রে এই ঘটনাটিটি একটি ভ্যাকুয়াম ফাঁক দ্বারা পৃথক দুটি শরীরের (ইলেক্ট্রোড) দিয়ে বৈদ্যুতিক সার্কিটে নিজেকে প্রকাশ করে, একটি বৈদ্যুতিক বর্তমান সনাক্ত করা হয়।

ধাতুগুলিতে থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের প্রকৃতি সম্পর্কে আধুনিক ধারনাগুলি নিম্নোক্ত ধারণাগুলির উপর ভিত্তি করে তৈরি করা হয়। ধাতুতে শক্তির মাত্রা দ্বারা ইলেকট্রন বিতরণ Fermi DiraC পরিসংখ্যান সাপেক্ষে, যার মতে, একটি ইলেক্ট্রন শক্তি সহ একটি কোয়ান্টাম স্টেটের সম্ভাব্যতা FEREMI DIRAC বৈশিষ্ট্য দ্বারা নির্ধারিত হয়:

(1)

কোথায় - Fermi শক্তি, যা সমগ্র ইলেক্ট্রন সিস্টেমের বৈশিষ্ট্য হিসাবে কাজ করে; জে / কে - Boltzmann এর ধ্রুবক, - ডিগ্রী Kelvin মধ্যে তাপমাত্রা।

Fermi Dirac ফাংশনগুলি বিভিন্ন তাপমাত্রার জন্য গুণগতভাবে চিত্রের মধ্যে উপস্থাপন করা হয়। 1. চিত্র থেকে দেখা যায়, যখন এটি একটি টিয়ার ফাংশন থাকে। সব শক্তি জন্য , সেগুলো. যেমন শক্তি সঙ্গে সব কোয়ান্টাম রাষ্ট্র ইলেকট্রন দ্বারা দখল করা হয়। ফাংশন ক্রমাগত এবং আরো blurred, তাপমাত্রা উচ্চতর হয়ে ওঠে।

ডুমুর। 1. ধাতু জন্য Fermi Dirac বৈশিষ্ট্য।

ধাতু, বিভিন্ন ইলেক্ট্রন-ভোল্ট (EV) এর অর্ডার। এই ক্ষেত্রে, কক্ষ তাপমাত্রা এবং এমনকি উচ্চতর (গলিত বিন্দু পর্যন্ত), ইলেকট্রন বিতরণের জন্য বিতরণ থেকে উল্লেখযোগ্যভাবে ভিন্ন নয়। একই সাথে, যদি আপনি ইলেক্ট্রন শক্তির ন্যূনতম মানটি মেটালের পরিমাণ ছাড়তে সক্ষম হন তবে শক্তির সাথে রাজ্যের মধ্যে, ইলেকট্রনের কিছু অংশ থাকবে, যার ঘনত্ব বৃদ্ধি বাড়বে (ছায়াছবিযুক্ত চিত্র 1 অংশ 1)।

নরম ভলিউমের ভলিউমের ভলিউম থেকে সরানোর দ্বারা ইলেক্ট্রনটি সঞ্চালিত হওয়া ন্যূনতম কাজ সমান। এই মাত্রাটিকে ভ্যাকুয়ামের মধ্যে বৈদ্যুতিক ইলেকট্রন আউটলেটের অপারেশন বলা হয়।

থার্মোইলেট্রনিক নির্গমন সহজেই পড়াশোনা করে এবং একটি ভ্যাকুয়াম ডায়োডের সাথে পর্যবেক্ষণ করা হয়, যার দুটি ইলেক্ট্রোড রয়েছে (ইলেক্ট্রন নির্গমনের জন্য যা ইলেক্ট্রন নির্গমনের জন্য কাজ করে এবং একটি ইলেক্ট্রনগুলি গ্রহণ করে এমন একটি অ্যানোড) একটি গ্লাস, ধাতু বা সিরামিক সিলিন্ডারে অবস্থিত।

ডায়াগ্রামে অন্তর্ভুক্ত একটি পরোক্ষ গ্যাস ক্যাথোড এবং ফ্ল্যাট ইলেক্ট্রোডের সাথে একটি ডায়োডে প্রবাহিত শারীরিক প্রক্রিয়া বিবেচনা করুন (চিত্র ২)। ভোল্টেজ (অ্যানোডে প্লাস) অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে একটি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র তৈরি করে, যা একটি ভোল্টেজে, একক হবে। যখন, ক্যাথোড থার্মোলেট্রনগুলি খায়, যা অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে স্থানটিতে একটি নেতিবাচক ভলিউম চার্জ তৈরি করে যা ইলেকট্রনগুলির আন্দোলনকে অ্যানোডে বাধা দেয় এবং ক্যাথোডের কাছাকাছি সর্বশ্রেষ্ঠ ঘনত্ব থাকে। বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র বন্টন অহংকারী হয়ে ওঠে।

Fig.2 Thermoelectronic নির্গমন ঘটনা অধ্যয়ন জন্য প্রকল্প।

ডায়োডের অপারেশন দুটি মোড মিশ্রিত করুন:

1. সম্পৃক্তি মোড ()। ক্যাথোডের বাইরে উড়ন্ত সমস্ত ইলেকট্রন, অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে ক্ষেত্রগুলি ত্বরান্বিত করার ক্ষেত্রে, অ্যানোডে পৌঁছায়। তারপর নির্গমন বর্তমানটি অ্যানোড বর্তমানের সমান এবং ক্যাথোডের এই তাপমাত্রার জন্য সর্বাধিক হবে (এই বর্তমানটি স্যাচুরেশন বর্তমানটিকে বর্তমান বলা হয়)।

2. ভলিউম চার্জ মোড ()। ক্যাথোডের কাছে একটি ভলিউম চার্জ একটি থার্মোইলেটরনের জন্য একটি ক্ষেত্র ব্রেকিং গঠন করে। কম শক্তি সঙ্গে ইলেকট্রন এই ক্ষেত্র পরাস্ত না এবং ক্যাথোড ফিরে না। এবং উচ্চ শক্তি সঙ্গে শুধুমাত্র ইলেকট্রন Anode আসা। এবং অতএব এই মোডে।

1883 সালে থার্মোইলেট্রনিক নির্গমনের ঘটনাটি খোলা আছে । বিখ্যাত আমেরিকান ইনভেস্টরEdison।

এই ঘটনাটি তাদের দ্বারা একটি ভ্যাকুয়াম বাতি দুটি ইলেকট্রোডের সাথে একটি ভ্যাকুয়াম বাতি - নোড, যা একটি ইতিবাচক সম্ভাবনা আছে, এবং
নেতিবাচক সম্ভাব্য সঙ্গে ক্যাথোড।

ক্যাথোড ল্যাম্প থেকে একটি থ্রেড পরিবেশন করতে পারেন
অবাধ্য মেটাল (টংস্টেন, Molybdenum
tantalum এবং অন্যান্য), গরম বৈদ্যুতিক
শক।

যেমন একটি বাতি বলা হয়ভ্যাকুয়াম ডায়োড .

ডায়োডগঠিত গ্লাস বা ধাতু থেকে

কর্পসএর মধ্যেযা বায়ু দ্বারা dumped হয়। একটি সিলিন্ডার Vpiana মধ্যে

দুটি ইলেক্ট্রোড - ক্যাথোড এবং অ্যানোড। একটি ক্যাথোড ডায়োড

পরোক্ষ গ্যাস একটি ক্ষুদ্র "চুলা" আছে,

যা ক্যাথোড তাপমাত্রা সাধারণত ক্যাথোড ব্যবস্থা করা হয়

একটি হিটারটি অবস্থিত একটি সিলিন্ডারের আকারে, অ্যানোডটি একটি সিলিন্ডার যা ক্যাথোডের চারপাশে অবস্থিত। আপনি ক্যাথোডের সাথে সম্পর্কিত অ্যানোড বাতি একটি ইতিবাচক সম্ভাব্যতা জমা দেন
তারপর অ্যানোড এবং ক্যাথোডের মধ্যে বৈদ্যুতিক ক্ষেত্র ক্যাথোড থেকে অ্যানোড থেকে ইলেক্ট্রনের আন্দোলনে অবদান রাখবে.

ক্যাথোড ঠান্ডা হলে, ক্যাথোড শৃঙ্খলে বর্তমানটি Anode হয়
কার্যত অনুপস্থিত।

চেইন মধ্যে ক্যাথোড তাপমাত্রা বৃদ্ধি যখন

ক্যাথোড - নোড বৈদ্যুতিক বর্তমান প্রদর্শিত, যা
উচ্চতর ক্যাথোড তাপমাত্রা বেশী।

চেইন মধ্যে cathode একটি ধ্রুবক তাপমাত্রা এ

ক্যাথোড -আড -আড ক্রমবর্ধমান পার্থক্য সঙ্গে বৃদ্ধি পায়

সম্ভাব্যতাইউ।ক্যাথোড এবং অ্যানোডের মধ্যে এবং বেরিয়ে আসে

কিছু স্থির অর্থ

saturation বর্তমান / এন। .

একই সময়ে, ক্যাথোড দ্বারা নির্গত সমস্ত থার্মোলেট্রন,
anode পৌঁছানোর। Anode বর্তমান মান আনুপাতিক নয়ইউ।, এবং সেইজন্য
একটি ভ্যাকুয়াম ডায়োড জন্য, ওহম আইন সঞ্চালিত হয় না।

ভ্যাকুয়ামে উত্তপ্ত দেহের (emitters) সঙ্গে ইলেক্ট্রন emitting emitting ঘটনাটি থার্মোলেট্রনিক নির্গমন বলা হয়।

Thermoelectronic নির্গমন - ধাতু উত্তাপ যখন ইলেকট্রন kinetic শক্তি অর্জন। 1000 পর্যন্ত উত্তপ্ত ধাতু - 1500 ডিগ্রি সেলসিয়াস ইলেকট্রনের "ক্লাউড" দ্বারা বেষ্টিত হবে। ইলেকট্রনের একটি উল্লেখযোগ্য সংখ্যা আউটপুট অপারেশন অতিক্রম করে গতিশীল শক্তি থাকবে, এবং এই ইলেকট্রনগুলি ধাতু থেকে উড়তে পারে।

ভ্যাকুয়াম diodes একটি বিকল্প বৈদ্যুতিক বর্তমান সোজা করতে ব্যবহৃত হয়

তরল বর্তমান প্রকৃতি। ইলেক্ট্রোলিসিস আইন। ইলেক্ট্রোলাইটস।

বৈদ্যুতিক বর্তমান কন্ডাকটর শুধুমাত্র ধাতু এবং semiconductors হয় না। বৈদ্যুতিক বর্তমান জল অনেক পদার্থ সমাধান বাহিত হয়। অভিজ্ঞতা দেখায়, পরিষ্কার পানি একটি বৈদ্যুতিক বর্তমান আচরণ করে না, অর্থাৎ, বৈদ্যুতিক চার্জগুলির কোনও বিনামূল্যের বাহক নেই। টেবিল লবণ, সোডিয়াম ক্লোরাইড বৈদ্যুতিক বর্তমান এবং স্ফটিক পরিচালনা করবেন না। তবে, সোডিয়াম ক্লোরাইড সমাধান একটি ভাল বৈদ্যুতিক বর্তমান কন্ডাকটর। বৈদ্যুতিক বর্তমান বহন করতে পারে যে লবণ, অ্যাসিড এবং ঘাঁটি সমাধান electrolytes বলা হয়

ইলেক্ট্রোলাইটের মাধ্যমে বৈদ্যুতিক বর্তমানের উত্তরণটি একটি কঠিন বা গ্যাসীয় অবস্থায় একটি পদার্থের মুক্তির সাথে অপরিহার্য।
ইলেক্ট্রোড পৃষ্ঠের উপর। Electrodes উপর পদার্থ নির্বাচন দেখায়
যে ইলেক্ট্রোলাইট বৈদ্যুতিক চার্জ স্থানান্তরিত পরমাণু চার্জ
পদার্থ - আয়ন। এই প্রক্রিয়া electrolysis বলা হয়।

ইলেক্ট্রোলাইসিস আইন

ইলেক্ট্রোলিসিস ভর সময় প্রতিষ্ঠিত বিভিন্ন ইলেক্ট্রোলাইট সঙ্গে পরীক্ষার উপর ভিত্তি করে মাইকেল Faradayএম। ইলেক্ট্রোডে হাইলাইট করা পদার্থটি ইলেক্ট্রোলাইটের মাধ্যমে গৃহীত চার্জের আনুপাতিক∆ প্রশ্নঅথবা বর্তমান আমি এবং সময় δটি।বর্তমান উত্তরণ:

এম। = কে। ∆ প্রশ্ন = কি। ∆ টি। .

এই সমীকরণ ইলেক্ট্রোলিসিস আইন বলা হয়। গুণাঙ্ককে। , বিশিষ্ট পদার্থের উপর নির্ভর করে একটি পদার্থের একটি ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল সমতুল্য বলা হয়।

ইলেক্ট্রোলাইটের পরিবাহিতা

তরল ইলেক্ট্রোলাইটের পরিবাহিতাটি দ্রবীভূত হওয়ার সময় ব্যাখ্যা করা হয়
জল, নিরপেক্ষ সল্ট অণু, অ্যাসিড এবং ঘাঁটি উপর পড়ে
নেতিবাচক এবং ইতিবাচক আয়ন। বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রে, আয়ন আসা
আন্দোলন এবং একটি বৈদ্যুতিক বর্তমান তৈরি করুন।

ইলেক্ট্রোলাইট সমষ্টিগত রাষ্ট্র

শুধুমাত্র তরল, কিন্তু কঠিন ইলেক্ট্রোলাইট নেই। কঠিন উদাহরণ
ইলেক্ট্রোলাইট গ্লাস পরিবেশন করতে পারেন। গ্লাস ইতিবাচক এবং নেতিবাচক আয়ন রয়েছে। কঠিন অবস্থায়, গ্লাস একটি বৈদ্যুতিক বর্তমান সঞ্চালন করে না, কারণ আয়ন একটি কঠিন শরীরের মধ্যে সরানো যাবে না।
গ্লাস উত্তপ্ত হলে, আয়নগুলি বৈদ্যুতিক ক্ষেত্রের কর্মের অধীনে স্থানান্তর করতে সক্ষম, এবং গ্লাস কন্ডাকটর হয়ে যায়।

ইলেক্ট্রোলিসিস ব্যবহার

Electrolysis ঘটনা অনেক জন্য অনুশীলন ব্যবহৃত হয়
সল্ট সমাধান থেকে ধাতু। বিরুদ্ধে রক্ষা করার জন্য electrolysis ব্যবহার করে
অক্সিডেশন বা প্রসাধন জন্য বিভিন্ন লেপা হয়
যেমন ক্রোম যেমন ধাতু পাতলা স্তর সঙ্গে বস্তু এবং মেশিন অংশ,
নিকেল, রূপা, সোনা।